
الشركة المصنعة:
السعر:
طلب عرض سعر
أسعار الجملة متاحة
شروط FOB و CIF و EXW متاحة
النقاط الرئيسية
- صنع في روسيا - مصمم للمتانة
- مناسب للبيئات الصعبة
- تكلفة ملكية أقل من البدائل الأوروبية
- طلبات الجملة متاحة مع خصومات على الكمية
- المساعدة في التوثيق والتخليص الجمركي مقدمة
الوصف
هذا high-power transistors مصنوع في روسيا ومتاح للاستيراد إلى الأسواق العالمية. المنتجات الروسية معروفة بمتانتها وموثوقيتها ونسبة السعر إلى الأداء الممتازة.
للحصول على مواصفات المنتج التفصيلية، يرجى الاطلاع على علامة تبويب المواصفات. اتصل بفريقنا لطلب معلومات الأسعار والتوافر والشحن.
المواصفات
Insulation resistance
1000000000000 ohm
Output leakage current
1.0E-5 A
Output residual voltage
0.3 V
Input voltage
1.8 V
شارك متطلباتك للحصول على رد سريع!
رد فوري خلال 15 دقيقة
أفضل أسعار الجملة مضمونة
مباشرة من الشركة المصنعة
التسليم والدفع
شروط الشحن
وقت التسليم
الشحن البحري: 30-60 يوم (حسب الوجهة)
الشحن الجوي: 14-21 يوم (للطلبات العاجلة)
طرق الدفع
منتجات مماثلة قد تهمك

High-frequency special-purpose field-effect transistors 2?301B/IU
عرض التفاصيل
High voltage bipolar high current transistors 2T8143U
عرض التفاصيل
Transistor LDMOS Field Effect Microwave Transistor (pulse mode) L
عرض التفاصيل
Powerful NPN special purpose amplifying transistors 2T808A-2
عرض التفاصيل
Silicon high-voltage high-power channel DMOS transistors and modules 2P829I9
عرض التفاصيل
CMOS P-channel transistor AnP53P03
عرض التفاصيل
Power IGBT module AnM150HBEB12M
عرض التفاصيل
Transistors and diodes in non-hermetic packages AnS75IGB065D
عرض التفاصيل
CMOS N-channel transistor AnB12N20
عرض التفاصيل
Powerful linear LDMOS transistor KP9171A
عرض التفاصيل
Powerful microwave transistor on the basis of gallium nitride PP9170B
عرض التفاصيل
AOT110B transistor optocoupler, (with local gold-plating of the leg)
عرض التفاصيلموردون موثوقون
جميع المنتجات يتم الحصول عليها مباشرة من المصنعين الروس المعتمدين
ضمان الجودة
المنتجات تلبي معايير الجودة الدولية مع الشهادات المناسبة
الشحن العالمي
حلول لوجستية موثوقة لتوصيل المنتجات إلى موقعك
مدفوعات آمنة
خيارات دفع آمنة متعددة لتسهيل المعاملات الدولية