
الشركة المصنعة:
السعر:
طلب عرض سعر
أسعار الجملة متاحة
شروط FOB و CIF و EXW متاحة
النقاط الرئيسية
- صنع في روسيا - مصمم للمتانة
- مناسب للبيئات الصعبة
- تكلفة ملكية أقل من البدائل الأوروبية
- طلبات الجملة متاحة مع خصومات على الكمية
- المساعدة في التوثيق والتخليص الجمركي مقدمة
الوصف
هذا high-power transistors مصنوع في روسيا ومتاح للاستيراد إلى الأسواق العالمية. المنتجات الروسية معروفة بمتانتها وموثوقيتها ونسبة السعر إلى الأداء الممتازة.
للحصول على مواصفات المنتج التفصيلية، يرجى الاطلاع على علامة تبويب المواصفات. اتصل بفريقنا لطلب معلومات الأسعار والتوافر والشحن.
المواصفات
Input voltage
2 V
Output residual voltage
0.5 V
Output leakage current
1.0E-5 A
Insulation resistance
1000000000 ohm
شارك متطلباتك للحصول على رد سريع!
رد فوري خلال 15 دقيقة
أفضل أسعار الجملة مضمونة
مباشرة من الشركة المصنعة
التسليم والدفع
شروط الشحن
وقت التسليم
الشحن البحري: 30-60 يوم (حسب الوجهة)
الشحن الجوي: 14-21 يوم (للطلبات العاجلة)
طرق الدفع
منتجات مماثلة قد تهمك

Transistors and diodes in non-hermetic packages AnS75IGB065D
عرض التفاصيل
Special purpose transistor optocouples 3OT127B
عرض التفاصيل
Powerful microwave transistor based on gallium nitride PP9138B
عرض التفاصيل
Powerful microwave transistor on the basis of gallium nitride PP9139A1
عرض التفاصيل
AnM200SSP25M power module
عرض التفاصيل
Travelling wave lamp "Lotto Man"
عرض التفاصيل
Silicon high voltage high power channel DMOS transistors and modules 2P829B
عرض التفاصيل
Transistor 2T368A/PK
عرض التفاصيل
Silicon planar N-P-N high-power high-voltage switching transistor of KT8190B type
عرض التفاصيل
Transistor AP379A9
عرض التفاصيل
Bipolar transistor 1NT251 ?93.456.000?? (by U80.073.212GCh)
عرض التفاصيل
Transistor 2T3108A/PK
عرض التفاصيلموردون موثوقون
جميع المنتجات يتم الحصول عليها مباشرة من المصنعين الروس المعتمدين
ضمان الجودة
المنتجات تلبي معايير الجودة الدولية مع الشهادات المناسبة
الشحن العالمي
حلول لوجستية موثوقة لتوصيل المنتجات إلى موقعك
مدفوعات آمنة
خيارات دفع آمنة متعددة لتسهيل المعاملات الدولية