
الشركة المصنعة:
السعر:
طلب عرض سعر
أسعار الجملة متاحة
شروط FOB و CIF و EXW متاحة
النقاط الرئيسية
- صنع في روسيا - مصمم للمتانة
- مناسب للبيئات الصعبة
- تكلفة ملكية أقل من البدائل الأوروبية
- طلبات الجملة متاحة مع خصومات على الكمية
- المساعدة في التوثيق والتخليص الجمركي مقدمة
الوصف
هذا high-power transistors مصنوع في روسيا ومتاح للاستيراد إلى الأسواق العالمية. المنتجات الروسية معروفة بمتانتها وموثوقيتها ونسبة السعر إلى الأداء الممتازة.
للحصول على مواصفات المنتج التفصيلية، يرجى الاطلاع على علامة تبويب المواصفات. اتصل بفريقنا لطلب معلومات الأسعار والتوافر والشحن.
المواصفات
Input voltage
2 V
Output residual voltage
0.5 V
Output leakage current
1.0E-5 A
Insulation resistance
1000000000000 ohm
شارك متطلباتك للحصول على رد سريع!
رد فوري خلال 15 دقيقة
أفضل أسعار الجملة مضمونة
مباشرة من الشركة المصنعة
التسليم والدفع
شروط الشحن
وقت التسليم
الشحن البحري: 30-60 يوم (حسب الوجهة)
الشحن الجوي: 14-21 يوم (للطلبات العاجلة)
طرق الدفع
منتجات مماثلة قد تهمك

Power IGBT module AnM100RCA065M
عرض التفاصيل
AnM450HBE12M Power IGBT Module
عرض التفاصيل
High-power high-voltage field-effect transistor KP829D
عرض التفاصيل
Transistor 2T117B OSM
عرض التفاصيل
Transistor KT908A
عرض التفاصيل
High-power DMOS field-effect transistors 2P7246A-5
عرض التفاصيل
CMOS N-channel transistor AnU12N10L
عرض التفاصيل
High-voltage bipolar high-current transistors 2T8144VM1
عرض التفاصيل
High-power NPN special-purpose amplifying transistors 2T908A-2
عرض التفاصيل
Silicon planar N-P-N high-power high-voltage switching transistor of KT8190B type
عرض التفاصيل
Power keys K3003KI014
عرض التفاصيل
AnDM400SC12M power module
عرض التفاصيلموردون موثوقون
جميع المنتجات يتم الحصول عليها مباشرة من المصنعين الروس المعتمدين
ضمان الجودة
المنتجات تلبي معايير الجودة الدولية مع الشهادات المناسبة
الشحن العالمي
حلول لوجستية موثوقة لتوصيل المنتجات إلى موقعك
مدفوعات آمنة
خيارات دفع آمنة متعددة لتسهيل المعاملات الدولية