
الشركة المصنعة:
السعر:
طلب عرض سعر
أسعار الجملة متاحة
شروط FOB و CIF و EXW متاحة
النقاط الرئيسية
- صنع في روسيا - مصمم للمتانة
- مناسب للبيئات الصعبة
- تكلفة ملكية أقل من البدائل الأوروبية
- طلبات الجملة متاحة مع خصومات على الكمية
- المساعدة في التوثيق والتخليص الجمركي مقدمة
الوصف
هذا high-power transistors مصنوع في روسيا ومتاح للاستيراد إلى الأسواق العالمية. المنتجات الروسية معروفة بمتانتها وموثوقيتها ونسبة السعر إلى الأداء الممتازة.
للحصول على مواصفات المنتج التفصيلية، يرجى الاطلاع على علامة تبويب المواصفات. اتصل بفريقنا لطلب معلومات الأسعار والتوافر والشحن.
المواصفات
Insulation resistance
1000000000000 ohm
Output leakage current
1.0E-5 A
Output residual voltage
0.3 V
Input voltage
1.8 V
شارك متطلباتك للحصول على رد سريع!
رد فوري خلال 15 دقيقة
أفضل أسعار الجملة مضمونة
مباشرة من الشركة المصنعة
التسليم والدفع
شروط الشحن
وقت التسليم
الشحن البحري: 30-60 يوم (حسب الوجهة)
الشحن الجوي: 14-21 يوم (للطلبات العاجلة)
طرق الدفع
منتجات مماثلة قد تهمك

Power IGBT module AnM75LCA12M
عرض التفاصيل
Silicon high voltage high power channel DMOS transistors and modules 2P829J
عرض التفاصيل
Silicon planar N-P-N high-power high-voltage switching transistor of KT8121B2 type
عرض التفاصيل
Powerful high-voltage field-effect transistor KP829A
عرض التفاصيل
Special purpose thyristor optocouples 3OU186B
عرض التفاصيل
CMOS N-channel transistor An10N70S10
عرض التفاصيل
Powerful linear LDMOS transistor KP9171A
عرض التفاصيل
CMOS N-channel transistor AnB3N120
عرض التفاصيل
AnM100HBA12M power module
عرض التفاصيل
CMOS P-channel transistor AnP53P03
عرض التفاصيل
Silicon high-voltage high-power channel DMOS transistors and modules 2P829I9
عرض التفاصيل
Special purpose transistor optocouples 3OT123G OSM
عرض التفاصيلموردون موثوقون
جميع المنتجات يتم الحصول عليها مباشرة من المصنعين الروس المعتمدين
ضمان الجودة
المنتجات تلبي معايير الجودة الدولية مع الشهادات المناسبة
الشحن العالمي
حلول لوجستية موثوقة لتوصيل المنتجات إلى موقعك
مدفوعات آمنة
خيارات دفع آمنة متعددة لتسهيل المعاملات الدولية