
الشركة المصنعة:
السعر:
طلب عرض سعر
أسعار الجملة متاحة
شروط FOB و CIF و EXW متاحة
النقاط الرئيسية
- صنع في روسيا - مصمم للمتانة
- مناسب للبيئات الصعبة
- تكلفة ملكية أقل من البدائل الأوروبية
- طلبات الجملة متاحة مع خصومات على الكمية
- المساعدة في التوثيق والتخليص الجمركي مقدمة
الوصف
هذا high-power transistors مصنوع في روسيا ومتاح للاستيراد إلى الأسواق العالمية. المنتجات الروسية معروفة بمتانتها وموثوقيتها ونسبة السعر إلى الأداء الممتازة.
للحصول على مواصفات المنتج التفصيلية، يرجى الاطلاع على علامة تبويب المواصفات. اتصل بفريقنا لطلب معلومات الأسعار والتوافر والشحن.
المواصفات
Input voltage
2 V
Output residual voltage
0.3 V
Output leakage current
1.0E-5 A
Insulation resistance
1000000000000 V
شارك متطلباتك للحصول على رد سريع!
رد فوري خلال 15 دقيقة
أفضل أسعار الجملة مضمونة
مباشرة من الشركة المصنعة
التسليم والدفع
شروط الشحن
وقت التسليم
الشحن البحري: 30-60 يوم (حسب الوجهة)
الشحن الجوي: 14-21 يوم (للطلبات العاجلة)
طرق الدفع
منتجات مماثلة قد تهمك

Transistor 2T368A9/PK
عرض التفاصيل
Transistor 2T368A/PK
عرض التفاصيل
High-voltage high-power n-channel DMOS transistor KP7154BS
عرض التفاصيل
High-power high-voltage field-effect transistor KP829J
عرض التفاصيل
Transistors and diodes in non-hermetic package AnR30IGB065D
عرض التفاصيل
Power IGBT module AnM600SSC12M
عرض التفاصيل
Silicon planar N-P-N high-power high-voltage switching transistor of KT8190B type
عرض التفاصيل
Bipolar transistor 1NT251 ?93.456.000?? (by U80.073.212GCh)
عرض التفاصيل
AnDM100AD17M power module
عرض التفاصيل
Powerful microwave transistor on the basis of gallium nitride PP9170A
عرض التفاصيل
Powerful microwave transistor on the basis of gallium nitride PP9170G
عرض التفاصيل
AOT123A transistor optocoupler (with local gold-plating of the leg)
عرض التفاصيلموردون موثوقون
جميع المنتجات يتم الحصول عليها مباشرة من المصنعين الروس المعتمدين
ضمان الجودة
المنتجات تلبي معايير الجودة الدولية مع الشهادات المناسبة
الشحن العالمي
حلول لوجستية موثوقة لتوصيل المنتجات إلى موقعك
مدفوعات آمنة
خيارات دفع آمنة متعددة لتسهيل المعاملات الدولية