متاح للاستيراد
الشركة المصنعة:
ش.م مصنع إسكرا
السعر:
طلب عرض سعر
أسعار الجملة متاحة
شروط FOB و CIF و EXW متاحة
الوصف
هذا high-power transistors مصنوع في روسيا ومتاح للاستيراد إلى الأسواق العالمية. المنتجات الروسية معروفة بمتانتها وموثوقيتها ونسبة السعر إلى الأداء الممتازة.
للحصول على مواصفات المنتج التفصيلية، يرجى الاطلاع على علامة تبويب المواصفات. اتصل بفريقنا لطلب معلومات الأسعار والتوافر والشحن.
المواصفات
Input voltage
2 V
Output residual voltage
0.3 V
Output leakage current
1.0E-5 A
Insulation resistance
1000000000 ohm
شارك متطلباتك للحصول على رد سريع!
رد فوري خلال 15 دقيقة
أفضل أسعار الجملة مضمونة
مباشرة من الشركة المصنعة
التسليم والدفع
شروط الشحن
وقت التسليم
الشحن البحري: 30-60 يوم (حسب الوجهة)
الشحن الجوي: 14-21 يوم (للطلبات العاجلة)
طرق الدفع
منتجات مماثلة قد تهمك
وحدة IGBT القوية AnM450HBE12M للتحكم الفعال في الطاقة
عرض التفاصيلترانزستورات وموديلات دMOOS القوية من السيليكون ذات الجهد العالي 2P829B
عرض التفاصيلترانزستور LDMOS خطي قوي KP9171A
عرض التفاصيلترانزستور MOSFET N-قناة AnB12N20
عرض التفاصيلترانزستور سيليكون NPN عالي الجهد KT8155G
عرض التفاصيلترانزستورات ثنائية القطب عالية الجهد 2T8143F1
عرض التفاصيلالترانزستورات والموديلات القوية من نوع DMOS عالية الجهد 2P829A
عرض التفاصيلترانزستور ثنائي القطب كيه تي 665 أ9 للتثبيت السطحي
عرض التفاصيلالوحدة القوة AnM100HBA12M - أداء عالي الكفاءة
عرض التفاصيلترانزستور التبديل القوي عالي الجهد N-P-N كود KT8143F
عرض التفاصيلترانزستورات وقنوات سيليكون ذات جهد عالي 2P829G
عرض التفاصيلوحدة الطاقة AnDM100AD17M - إدارة الطاقة الفعالة
عرض التفاصيلموردون موثوقون
جميع المنتجات يتم الحصول عليها مباشرة من المصنعين الروس المعتمدين
ضمان الجودة
المنتجات تلبي معايير الجودة الدولية مع الشهادات المناسبة
الشحن العالمي
حلول لوجستية موثوقة لتوصيل المنتجات إلى موقعك
مدفوعات آمنة
خيارات دفع آمنة متعددة لتسهيل المعاملات الدولية