متاح للاستيرادترانزستور MOSFET N-قناة AnD1N70 لتطبيقات الدوائر الفعالة
الشركة المصنعة:ش.م أنغستروم
السعر:طلب عرض سعر
أسعار الجملة متاحة
شروط FOB و CIF و EXW متاحة
الوصف
هذا high-power transistors مصنوع في روسيا ومتاح للاستيراد إلى الأسواق العالمية. المنتجات الروسية معروفة بمتانتها وموثوقيتها ونسبة السعر إلى الأداء الممتازة.
للحصول على مواصفات المنتج التفصيلية، يرجى الاطلاع على علامة تبويب المواصفات. اتصل بفريقنا لطلب معلومات الأسعار والتوافر والشحن.
المواصفات
Housing type
TO-252 (KT-89)
Type of acceptance
QA
Maximum allowable voltage
700 V
Maximum permissible current
1 A
Drain-to-source resistance in open state
10.5 ohm
شارك متطلباتك للحصول على رد سريع!
رد فوري خلال 15 دقيقة
أفضل أسعار الجملة مضمونة
مباشرة من الشركة المصنعة
التسليم والدفع
شروط الشحن
وقت التسليم
الشحن البحري: 30-60 يوم (حسب الوجهة) الشحن الجوي: 14-21 يوم (للطلبات العاجلة)
طرق الدفع
منتجات مماثلة قد تهمك
ترانزستورات وقنوات DMOS عالية الجهد 2P829I9
عرض التفاصيل
ترانزستور MOSFET N-قناة AnR40N20
عرض التفاصيل
ترانزستور سيليكون إبيتاكسيال بلانار p-n-p 2T3129B9/PK
عرض التفاصيل
ترانزستور نبضي عالي التردد 2T606A للتطبيقات الخاصة
عرض التفاصيل
ترانزستورات ثنائية القطب عالية الجهد 2T8144BM1
عرض التفاصيل
ترانزستور MOSFET N-قناة AnS140N06
عرض التفاصيل
وحدة IGBT للطاقة AnM75LCA12M
عرض التفاصيل
ترانزستور حقل عالي الجهد قوي KP829B
عرض التفاصيل
ترانزستورات ثنائية القطب عالية الجهد 2T8143F1
عرض التفاصيل
ترانزستور MOSFET N-قناة AnB12N20
عرض التفاصيل
ترانزستور DMOП P-القناة AnP53P03
عرض التفاصيل
ترانزستورات وديودات في حزمة غير محكمة AnS75IGB065D
عرض التفاصيلموردون موثوقون
جميع المنتجات يتم الحصول عليها مباشرة من المصنعين الروس المعتمدين
ضمان الجودة
المنتجات تلبي معايير الجودة الدولية مع الشهادات المناسبة
الشحن العالمي
حلول لوجستية موثوقة لتوصيل المنتجات إلى موقعك
مدفوعات آمنة
خيارات دفع آمنة متعددة لتسهيل المعاملات الدولية