
الشركة المصنعة:
السعر:
طلب عرض سعر
أسعار الجملة متاحة
شروط FOB و CIF و EXW متاحة
النقاط الرئيسية
- صنع في روسيا - مصمم للمتانة
- مناسب للبيئات الصعبة
- تكلفة ملكية أقل من البدائل الأوروبية
- طلبات الجملة متاحة مع خصومات على الكمية
- المساعدة في التوثيق والتخليص الجمركي مقدمة
الوصف
هذا high-power transistors مصنوع في روسيا ومتاح للاستيراد إلى الأسواق العالمية. المنتجات الروسية معروفة بمتانتها وموثوقيتها ونسبة السعر إلى الأداء الممتازة.
للحصول على مواصفات المنتج التفصيلية، يرجى الاطلاع على علامة تبويب المواصفات. اتصل بفريقنا لطلب معلومات الأسعار والتوافر والشحن.
المواصفات
Input voltage
1.6 V
Output residual voltage
1.5 V
Output leakage current
1.0E-5 A
Insulation resistance
1000000000000 ohm
شارك متطلباتك للحصول على رد سريع!
رد فوري خلال 15 دقيقة
أفضل أسعار الجملة مضمونة
مباشرة من الشركة المصنعة
التسليم والدفع
شروط الشحن
وقت التسليم
الشحن البحري: 30-60 يوم (حسب الوجهة)
الشحن الجوي: 14-21 يوم (للطلبات العاجلة)
طرق الدفع
منتجات مماثلة قد تهمك

AnM200SSP25M power module
عرض التفاصيل
Transistors and diodes in non-hermetic packages AnS75IGB065D
عرض التفاصيل
Powerful microwave transistor based on gallium nitride PP9138B
عرض التفاصيل
AnDM100AD17M power module
عرض التفاصيل
Transistor LDMOS Field Effect Microwave Transistor (pulse mode) L
عرض التفاصيل
High-voltage high-power n-channel DMOS transistor KP7154BS
عرض التفاصيل
Powerful microwave transistors based on gallium nitride PP9136A
عرض التفاصيل
Powerful microwave transistor on the basis of gallium nitride PP9170B
عرض التفاصيل
DMOS N-channel transistor AnD1N70
عرض التفاصيل
CMOS N-channel transistor AnS140N06
عرض التفاصيل
High-power field-effect switching transistors for special purpose 2?7152?
عرض التفاصيل
High-power NPN special-purpose switching transistors 2T856G
عرض التفاصيلموردون موثوقون
جميع المنتجات يتم الحصول عليها مباشرة من المصنعين الروس المعتمدين
ضمان الجودة
المنتجات تلبي معايير الجودة الدولية مع الشهادات المناسبة
الشحن العالمي
حلول لوجستية موثوقة لتوصيل المنتجات إلى موقعك
مدفوعات آمنة
خيارات دفع آمنة متعددة لتسهيل المعاملات الدولية