متاح للاستيراد
الشركة المصنعة:
ش.م مصنع إسكرا
السعر:
طلب عرض سعر
أسعار الجملة متاحة
شروط FOB و CIF و EXW متاحة
الوصف
هذا high-power transistors مصنوع في روسيا ومتاح للاستيراد إلى الأسواق العالمية. المنتجات الروسية معروفة بمتانتها وموثوقيتها ونسبة السعر إلى الأداء الممتازة.
للحصول على مواصفات المنتج التفصيلية، يرجى الاطلاع على علامة تبويب المواصفات. اتصل بفريقنا لطلب معلومات الأسعار والتوافر والشحن.
المواصفات
Insulation resistance
1000000000000 ohm
Output leakage current
1.0E-5 A
Output residual voltage
1.5 V
Input voltage
1.6 V
شارك متطلباتك للحصول على رد سريع!
رد فوري خلال 15 دقيقة
أفضل أسعار الجملة مضمونة
مباشرة من الشركة المصنعة
التسليم والدفع
شروط الشحن
وقت التسليم
الشحن البحري: 30-60 يوم (حسب الوجهة)
الشحن الجوي: 14-21 يوم (للطلبات العاجلة)
طرق الدفع
منتجات مماثلة قد تهمك
وحدة IGBT عالية القدرة AnM150HBEВ12M
عرض التفاصيلوحدة IGBT القوية AnM450HBE065M
عرض التفاصيلترانزستورات NPN قوية للتبديل لأغراض خاصة 2T856G
عرض التفاصيلترانزستور حقل N-قناة مدمج 2P526A9
عرض التفاصيلترانزستور LDMOS الميكروي للعمل النبضي 2P9116B 1030-1090 ميغاهرتز
عرض التفاصيلترانزستور التبديل القوي عالي الجهد N-P-N كود KT8143F
عرض التفاصيلترانزستور ميكروويف قوي يعتمد على نيتريد الغاليوم PP9139B1
عرض التفاصيلالوحدة القوة AnM100HBA12M - أداء عالي الكفاءة
عرض التفاصيلترانزستور ميداني عالي الطاقة وعالي الجهد KP829B9
عرض التفاصيلترانزستور ميداني من النوع P-Channel 2P527A9
عرض التفاصيلترانزستور سيليكون 2T117V OSH للأجهزة الإلكترونية
عرض التفاصيلترانزستور NPN قوي 2T808A-2 للتطبيقات الخاصة
عرض التفاصيلموردون موثوقون
جميع المنتجات يتم الحصول عليها مباشرة من المصنعين الروس المعتمدين
ضمان الجودة
المنتجات تلبي معايير الجودة الدولية مع الشهادات المناسبة
الشحن العالمي
حلول لوجستية موثوقة لتوصيل المنتجات إلى موقعك
مدفوعات آمنة
خيارات دفع آمنة متعددة لتسهيل المعاملات الدولية