متاح للاستيراد
الشركة المصنعة:
السعر:
طلب عرض سعر
أسعار الجملة متاحة
شروط FOB و CIF و EXW متاحة
النقاط الرئيسية
- صنع في روسيا - مصمم للمتانة
- مناسب للبيئات الصعبة
- تكلفة ملكية أقل من البدائل الأوروبية
- طلبات الجملة متاحة مع خصومات على الكمية
- المساعدة في التوثيق والتخليص الجمركي مقدمة
الوصف
هذا high-power transistors مصنوع في روسيا ومتاح للاستيراد إلى الأسواق العالمية. المنتجات الروسية معروفة بمتانتها وموثوقيتها ونسبة السعر إلى الأداء الممتازة.
للحصول على مواصفات المنتج التفصيلية، يرجى الاطلاع على علامة تبويب المواصفات. اتصل بفريقنا لطلب معلومات الأسعار والتوافر والشحن.
المواصفات
Boundary voltage
20 V
Static current transfer coefficient
20...80
Collector junction capacitance
B1/B8 2100/900 MHz
Current transfer coefficient modulus at high frequency
3
شارك متطلباتك للحصول على رد سريع!
رد فوري خلال 15 دقيقة
أفضل أسعار الجملة مضمونة
مباشرة من الشركة المصنعة
التسليم والدفع
شروط الشحن
وقت التسليم
الشحن البحري: 30-60 يوم (حسب الوجهة)
الشحن الجوي: 14-21 يوم (للطلبات العاجلة)
طرق الدفع
منتجات مماثلة قد تهمك
Field transistor 2P527A9
عرض التفاصيل
Transistor KT3187B9
عرض التفاصيل
High-voltage bipolar high-current transistors 2T8144VM1
عرض التفاصيل
KT665A9 bipolar transistor
عرض التفاصيل
High-power NPN special-purpose switching transistors 2T867A OSM
عرض التفاصيل
CMOS N-channel transistor AnS140N06
عرض التفاصيل
Powerful microwave transistors based on gallium nitride PP9136A
عرض التفاصيل
High-power DMOS field-effect transistors 2P7242A-4
عرض التفاصيل
Transistor KP7154BS
عرض التفاصيل
Special purpose transistor optocouplers 3OT127A
عرض التفاصيل
High-power NPN special-purpose amplifying transistors 2T808A
عرض التفاصيل
AnM200HBB12M power module
عرض التفاصيلموردون موثوقون
جميع المنتجات يتم الحصول عليها مباشرة من المصنعين الروس المعتمدين
ضمان الجودة
المنتجات تلبي معايير الجودة الدولية مع الشهادات المناسبة
الشحن العالمي
حلول لوجستية موثوقة لتوصيل المنتجات إلى موقعك
مدفوعات آمنة
خيارات دفع آمنة متعددة لتسهيل المعاملات الدولية