متاح للاستيراد
الشركة المصنعة:
السعر:
طلب عرض سعر
أسعار الجملة متاحة
شروط FOB و CIF و EXW متاحة
النقاط الرئيسية
- صنع في روسيا - مصمم للمتانة
- مناسب للبيئات الصعبة
- تكلفة ملكية أقل من البدائل الأوروبية
- طلبات الجملة متاحة مع خصومات على الكمية
- المساعدة في التوثيق والتخليص الجمركي مقدمة
الوصف
هذا high-power transistors مصنوع في روسيا ومتاح للاستيراد إلى الأسواق العالمية. المنتجات الروسية معروفة بمتانتها وموثوقيتها ونسبة السعر إلى الأداء الممتازة.
للحصول على مواصفات المنتج التفصيلية، يرجى الاطلاع على علامة تبويب المواصفات. اتصل بفريقنا لطلب معلومات الأسعار والتوافر والشحن.
المواصفات
Boundary voltage
5 V
Static current transfer coefficient
30...120
Collector junction capacitance
B1/B8 2100/900 MHz
Current transfer coefficient modulus at high frequency
2
شارك متطلباتك للحصول على رد سريع!
رد فوري خلال 15 دقيقة
أفضل أسعار الجملة مضمونة
مباشرة من الشركة المصنعة
التسليم والدفع
شروط الشحن
وقت التسليم
الشحن البحري: 30-60 يوم (حسب الوجهة)
الشحن الجوي: 14-21 يوم (للطلبات العاجلة)
طرق الدفع
منتجات مماثلة قد تهمك
CMOS N-channel transistor AnS140N06
عرض التفاصيل
Special purpose transistor optocouples 3OT127B
عرض التفاصيل
Silicon high voltage high power channel DMOS transistors and modules 2P829G
عرض التفاصيل
DMOS N-channel transistor AnD1N70
عرض التفاصيل
Transistor 2T117B OSM
عرض التفاصيل
Transistor KT908A
عرض التفاصيل
Silicon high voltage high power channel DMOS transistors and modules 2P829J
عرض التفاصيل
Silicon high voltage high power channel DMOS transistors and modules 2P829G9
عرض التفاصيل
CMOS N-channel transistor AnR40N20
عرض التفاصيل
AnDM100AD17M power module
عرض التفاصيل
Power IGBT module AnM200RCB065M
عرض التفاصيل
High-frequency special-purpose field-effect transistors 2?301B/IU
عرض التفاصيلموردون موثوقون
جميع المنتجات يتم الحصول عليها مباشرة من المصنعين الروس المعتمدين
ضمان الجودة
المنتجات تلبي معايير الجودة الدولية مع الشهادات المناسبة
الشحن العالمي
حلول لوجستية موثوقة لتوصيل المنتجات إلى موقعك
مدفوعات آمنة
خيارات دفع آمنة متعددة لتسهيل المعاملات الدولية