متاح للاستيراد
الشركة المصنعة:
السعر:
طلب عرض سعر
أسعار الجملة متاحة
شروط FOB و CIF و EXW متاحة
النقاط الرئيسية
- صنع في روسيا - مصمم للمتانة
- مناسب للبيئات الصعبة
- تكلفة ملكية أقل من البدائل الأوروبية
- طلبات الجملة متاحة مع خصومات على الكمية
- المساعدة في التوثيق والتخليص الجمركي مقدمة
الوصف
هذا high-power transistors مصنوع في روسيا ومتاح للاستيراد إلى الأسواق العالمية. المنتجات الروسية معروفة بمتانتها وموثوقيتها ونسبة السعر إلى الأداء الممتازة.
للحصول على مواصفات المنتج التفصيلية، يرجى الاطلاع على علامة تبويب المواصفات. اتصل بفريقنا لطلب معلومات الأسعار والتوافر والشحن.
المواصفات
Boundary voltage
SBVVBG V
Static current transfer coefficient
20-60
Collector junction capacitance
Built-in memory card slot, support microSD/SDHC/SDXC card (up to 256GB); manual recording/alarm recording
شارك متطلباتك للحصول على رد سريع!
رد فوري خلال 15 دقيقة
أفضل أسعار الجملة مضمونة
مباشرة من الشركة المصنعة
التسليم والدفع
شروط الشحن
وقت التسليم
الشحن البحري: 30-60 يوم (حسب الوجهة)
الشحن الجوي: 14-21 يوم (للطلبات العاجلة)
طرق الدفع
منتجات مماثلة قد تهمك
Powerful microwave transistors based on gallium nitride PP9136A
عرض التفاصيل
Power IGBT module AnM200RCB065M
عرض التفاصيل
Transistor KP7154BS
عرض التفاصيل
AnS150FRD065 power module
عرض التفاصيل
KT665A9 bipolar transistor
عرض التفاصيل
Silicon planar N-P-N high-power high-voltage switching transistor of KT8144A type
عرض التفاصيل
Powerful microwave transistor on the basis of gallium nitride PP9137A
عرض التفاصيل
CMOS N-channel transistor AnB12N20
عرض التفاصيل
Silicon high-voltage high-power channel DMOS transistors and modules 2P829I9
عرض التفاصيل
AnM450HBE065M Power IGBT Module
عرض التفاصيل
Power module MTKI-2000-25
عرض التفاصيل
Transistor 2T368A/PK
عرض التفاصيلموردون موثوقون
جميع المنتجات يتم الحصول عليها مباشرة من المصنعين الروس المعتمدين
ضمان الجودة
المنتجات تلبي معايير الجودة الدولية مع الشهادات المناسبة
الشحن العالمي
حلول لوجستية موثوقة لتوصيل المنتجات إلى موقعك
مدفوعات آمنة
خيارات دفع آمنة متعددة لتسهيل المعاملات الدولية