All Categories

Categories

Language

Quick Links

WhatsApp Inquiry
متاح للاستيراد

High-Power Transistors
الشركة المصنعة:
السعر: طلب عرض سعر

أسعار الجملة متاحة

شروط FOB و CIF و EXW متاحة

النقاط الرئيسية

  • صنع في روسيا - مصمم للمتانة
  • مناسب للبيئات الصعبة
  • تكلفة ملكية أقل من البدائل الأوروبية
  • طلبات الجملة متاحة مع خصومات على الكمية
  • المساعدة في التوثيق والتخليص الجمركي مقدمة

النماذج المتاحة

Transistor 2T3108A/PK Transistor 2T208G/PC Transistor 2T208L/PK Transistor 2T208B/PC Transistor 2T313A/PK

الوصف

هذا high-power transistors مصنوع في روسيا ومتاح للاستيراد إلى الأسواق العالمية. المنتجات الروسية معروفة بمتانتها وموثوقيتها ونسبة السعر إلى الأداء الممتازة.

للحصول على مواصفات المنتج التفصيلية، يرجى الاطلاع على علامة تبويب المواصفات. اتصل بفريقنا لطلب معلومات الأسعار والتوافر والشحن.

المواصفات

Breakdown voltage
60 V
Static current transfer coefficient
60...200
Collector junction capacitance
5
Current transfer coefficient modulus at high frequency
7
Static current transfer coefficient
25
وفر وقتك

شارك متطلباتك للحصول على رد سريع!

رد فوري خلال 15 دقيقة
أفضل أسعار الجملة مضمونة
مباشرة من الشركة المصنعة

التسليم والدفع

شروط الشحن

FOB نوفوروسيسك، روسيا CIF متاح للموانئ الرئيسية في جميع أنحاء العالم EXW منشأة الشركة المصنعة، روسيا

وقت التسليم

الشحن البحري: 30-60 يوم (حسب الوجهة) الشحن الجوي: 14-21 يوم (للطلبات العاجلة)

طرق الدفع

خطاب الاعتماد (L/C) التحويل البنكي (T/T) خدمات الضمان

منتجات مماثلة قد تهمك

AnS150FRD065 power module

AnS150FRD065 power module

عرض التفاصيل
High-voltage bipolar high-current transistors 2T8143F1

High-voltage bipolar high-current transistors 2T8143F1

عرض التفاصيل
Special purpose thyristor optocouples 3OU186B

Special purpose thyristor optocouples 3OU186B

عرض التفاصيل
High-power high-voltage field-effect transistor KP829B

High-power high-voltage field-effect transistor KP829B

عرض التفاصيل
Powerful microwave transistor on the basis of gallium nitride PP9170D

Powerful microwave transistor on the basis of gallium nitride PP9170D

عرض التفاصيل
Powerful microwave transistor based on gallium nitride PP9138B

Powerful microwave transistor based on gallium nitride PP9138B

عرض التفاصيل
High-frequency pulse transistors of special purpose 2T606A

High-frequency pulse transistors of special purpose 2T606A

عرض التفاصيل
Powerful microwave transistor on the basis of gallium nitride PP9170A

Powerful microwave transistor on the basis of gallium nitride PP9170A

عرض التفاصيل
AOT110B transistor optocoupler, (with local gold-plating of the leg)

AOT110B transistor optocoupler, (with local gold-plating of the leg)

عرض التفاصيل
Silicon high-voltage high-power channel DMOS-transistors and modules 2P829A

Silicon high-voltage high-power channel DMOS-transistors and modules 2P829A

عرض التفاصيل
CMOS N-channel transistor An10N70S10

CMOS N-channel transistor An10N70S10

عرض التفاصيل
Bipolar transistor 1NT251 ?93.456.000?? (by U80.073.212GCh)

Bipolar transistor 1NT251 ?93.456.000?? (by U80.073.212GCh)

عرض التفاصيل

موردون موثوقون

جميع المنتجات يتم الحصول عليها مباشرة من المصنعين الروس المعتمدين

ضمان الجودة

المنتجات تلبي معايير الجودة الدولية مع الشهادات المناسبة

الشحن العالمي

حلول لوجستية موثوقة لتوصيل المنتجات إلى موقعك

مدفوعات آمنة

خيارات دفع آمنة متعددة لتسهيل المعاملات الدولية

تم استلام طلب معاودة الاتصال. سنتصل بك قريباً.