All Categories

Categories

Language

Quick Links

WhatsApp Inquiry
متاح للاستيراد

High-Power Transistors
الشركة المصنعة:
السعر: طلب عرض سعر

أسعار الجملة متاحة

شروط FOB و CIF و EXW متاحة

النقاط الرئيسية

  • صنع في روسيا - مصمم للمتانة
  • مناسب للبيئات الصعبة
  • تكلفة ملكية أقل من البدائل الأوروبية
  • طلبات الجملة متاحة مع خصومات على الكمية
  • المساعدة في التوثيق والتخليص الجمركي مقدمة

النماذج المتاحة

Transistor 2T3108A/PK Transistor 2T208L/PK Transistor 2T208B/PC Transistor 2T313A/PK Transistor 2T208A/PC

الوصف

هذا high-power transistors مصنوع في روسيا ومتاح للاستيراد إلى الأسواق العالمية. المنتجات الروسية معروفة بمتانتها وموثوقيتها ونسبة السعر إلى الأداء الممتازة.

للحصول على مواصفات المنتج التفصيلية، يرجى الاطلاع على علامة تبويب المواصفات. اتصل بفريقنا لطلب معلومات الأسعار والتوافر والشحن.

المواصفات

Boundary voltage
30 V
Static current transfer coefficient
20...60
Collector junction capacitance
Built-in memory card slot, support microSD/SDHC/SDXC card (up to 256GB); manual recording/alarm recording
وفر وقتك

شارك متطلباتك للحصول على رد سريع!

رد فوري خلال 15 دقيقة
أفضل أسعار الجملة مضمونة
مباشرة من الشركة المصنعة

التسليم والدفع

شروط الشحن

FOB نوفوروسيسك، روسيا CIF متاح للموانئ الرئيسية في جميع أنحاء العالم EXW منشأة الشركة المصنعة، روسيا

وقت التسليم

الشحن البحري: 30-60 يوم (حسب الوجهة) الشحن الجوي: 14-21 يوم (للطلبات العاجلة)

طرق الدفع

خطاب الاعتماد (L/C) التحويل البنكي (T/T) خدمات الضمان

منتجات مماثلة قد تهمك

Power module MTKI-2000-25

Power module MTKI-2000-25

عرض التفاصيل
Powerful microwave transistor on the basis of gallium nitride PP9137A

Powerful microwave transistor on the basis of gallium nitride PP9137A

عرض التفاصيل
Power keys K1376KI014

Power keys K1376KI014

عرض التفاصيل
Powerful microwave transistor based on gallium nitride PP9138B

Powerful microwave transistor based on gallium nitride PP9138B

عرض التفاصيل
Silicon high-voltage high-power channel DMOS transistors and modules 2P829I9

Silicon high-voltage high-power channel DMOS transistors and modules 2P829I9

عرض التفاصيل
Silicon high-voltage high-power channel DMOS-transistors and modules 2P829A

Silicon high-voltage high-power channel DMOS-transistors and modules 2P829A

عرض التفاصيل
AnM100HBA12M power module

AnM100HBA12M power module

عرض التفاصيل
High-power high-voltage field-effect transistor KP829B

High-power high-voltage field-effect transistor KP829B

عرض التفاصيل
Bipolar transistor 1NT251 ?93.456.000?? (by U80.073.212GCh)

Bipolar transistor 1NT251 ?93.456.000?? (by U80.073.212GCh)

عرض التفاصيل
AnM450HBE12M Power IGBT Module

AnM450HBE12M Power IGBT Module

عرض التفاصيل
High-power NPN special-purpose switching transistors 2T856G

High-power NPN special-purpose switching transistors 2T856G

عرض التفاصيل
High-power high-voltage field-effect transistor KP829D

High-power high-voltage field-effect transistor KP829D

عرض التفاصيل

موردون موثوقون

جميع المنتجات يتم الحصول عليها مباشرة من المصنعين الروس المعتمدين

ضمان الجودة

المنتجات تلبي معايير الجودة الدولية مع الشهادات المناسبة

الشحن العالمي

حلول لوجستية موثوقة لتوصيل المنتجات إلى موقعك

مدفوعات آمنة

خيارات دفع آمنة متعددة لتسهيل المعاملات الدولية

تم استلام طلب معاودة الاتصال. سنتصل بك قريباً.