متاح للاستيراد
الشركة المصنعة:
السعر:
طلب عرض سعر
أسعار الجملة متاحة
شروط FOB و CIF و EXW متاحة
النقاط الرئيسية
- صنع في روسيا - مصمم للمتانة
- مناسب للبيئات الصعبة
- تكلفة ملكية أقل من البدائل الأوروبية
- طلبات الجملة متاحة مع خصومات على الكمية
- المساعدة في التوثيق والتخليص الجمركي مقدمة
الوصف
هذا high-power transistors مصنوع في روسيا ومتاح للاستيراد إلى الأسواق العالمية. المنتجات الروسية معروفة بمتانتها وموثوقيتها ونسبة السعر إلى الأداء الممتازة.
للحصول على مواصفات المنتج التفصيلية، يرجى الاطلاع على علامة تبويب المواصفات. اتصل بفريقنا لطلب معلومات الأسعار والتوافر والشحن.
المواصفات
Boundary voltage
30 V
Static current transfer coefficient
40...120
Collector junction capacitance
Built-in memory card slot, support microSD/SDHC/SDXC card (up to 256GB); manual recording/alarm recording
شارك متطلباتك للحصول على رد سريع!
رد فوري خلال 15 دقيقة
أفضل أسعار الجملة مضمونة
مباشرة من الشركة المصنعة
التسليم والدفع
شروط الشحن
وقت التسليم
الشحن البحري: 30-60 يوم (حسب الوجهة)
الشحن الجوي: 14-21 يوم (للطلبات العاجلة)
طرق الدفع
منتجات مماثلة قد تهمك
Power IGBT module AnM150HBEB12M
عرض التفاصيل
Powerful microwave transistors based on gallium nitride PP9136A
عرض التفاصيل
Powerful high-voltage field-effect transistor KP829A
عرض التفاصيل
DMOS N-channel transistor AnD1N70
عرض التفاصيل
Travelling wave lamp "Lotto Man"
عرض التفاصيل
Transistor MIK8205
عرض التفاصيل
Powerful microwave transistor on the basis of gallium nitride PP9170A
عرض التفاصيل
Silicon p-n-p transistor KT234V9
عرض التفاصيل
AnDM400SC12M power module
عرض التفاصيل
High-voltage bipolar high-current transistors 2T8143F1
عرض التفاصيل
Special purpose high frequency pulse transistors 2T603B/IU
عرض التفاصيل
High-voltage bipolar high-current transistors 2T8144BM1
عرض التفاصيلموردون موثوقون
جميع المنتجات يتم الحصول عليها مباشرة من المصنعين الروس المعتمدين
ضمان الجودة
المنتجات تلبي معايير الجودة الدولية مع الشهادات المناسبة
الشحن العالمي
حلول لوجستية موثوقة لتوصيل المنتجات إلى موقعك
مدفوعات آمنة
خيارات دفع آمنة متعددة لتسهيل المعاملات الدولية