متاح للاستيراد
الشركة المصنعة:
السعر:
طلب عرض سعر
أسعار الجملة متاحة
شروط FOB و CIF و EXW متاحة
النقاط الرئيسية
- صنع في روسيا - مصمم للمتانة
- مناسب للبيئات الصعبة
- تكلفة ملكية أقل من البدائل الأوروبية
- طلبات الجملة متاحة مع خصومات على الكمية
- المساعدة في التوثيق والتخليص الجمركي مقدمة
الوصف
هذا high-power transistors مصنوع في روسيا ومتاح للاستيراد إلى الأسواق العالمية. المنتجات الروسية معروفة بمتانتها وموثوقيتها ونسبة السعر إلى الأداء الممتازة.
للحصول على مواصفات المنتج التفصيلية، يرجى الاطلاع على علامة تبويب المواصفات. اتصل بفريقنا لطلب معلومات الأسعار والتوافر والشحن.
المواصفات
Breakdown voltage
45 V
Static current transfer coefficient
100...300
Collector junction capacitance
5
Current transfer coefficient modulus at high frequency
3
Noise figure
6
شارك متطلباتك للحصول على رد سريع!
رد فوري خلال 15 دقيقة
أفضل أسعار الجملة مضمونة
مباشرة من الشركة المصنعة
التسليم والدفع
شروط الشحن
وقت التسليم
الشحن البحري: 30-60 يوم (حسب الوجهة)
الشحن الجوي: 14-21 يوم (للطلبات العاجلة)
طرق الدفع
منتجات مماثلة قد تهمك
Silicon high voltage high power channel DMOS transistors and modules 2P829B9
عرض التفاصيل
AnM450HBE065M Power IGBT Module
عرض التفاصيل
Powerful microwave transistor on the basis of gallium nitride PP9170D
عرض التفاصيل
Transistor 2T368A9/PK
عرض التفاصيل
Power IGBT module AnM200RCB065M
عرض التفاصيل
AnM200SSP25M power module
عرض التفاصيل
Special purpose transistor optocouplers 3OT127A
عرض التفاصيل
CMOS P-channel transistor AnP53P03
عرض التفاصيل
Power keys K3003KI014A
عرض التفاصيل
Transistor KT6131A
عرض التفاصيل
Transistor AP379A9
عرض التفاصيل
High-power DMOS field-effect transistors 2P7242A-4
عرض التفاصيلموردون موثوقون
جميع المنتجات يتم الحصول عليها مباشرة من المصنعين الروس المعتمدين
ضمان الجودة
المنتجات تلبي معايير الجودة الدولية مع الشهادات المناسبة
الشحن العالمي
حلول لوجستية موثوقة لتوصيل المنتجات إلى موقعك
مدفوعات آمنة
خيارات دفع آمنة متعددة لتسهيل المعاملات الدولية