متاح للاستيراد
الشركة المصنعة:
السعر:
طلب عرض سعر
أسعار الجملة متاحة
شروط FOB و CIF و EXW متاحة
النقاط الرئيسية
- صنع في روسيا - مصمم للمتانة
- مناسب للبيئات الصعبة
- تكلفة ملكية أقل من البدائل الأوروبية
- طلبات الجملة متاحة مع خصومات على الكمية
- المساعدة في التوثيق والتخليص الجمركي مقدمة
الوصف
هذا high-power transistors مصنوع في روسيا ومتاح للاستيراد إلى الأسواق العالمية. المنتجات الروسية معروفة بمتانتها وموثوقيتها ونسبة السعر إلى الأداء الممتازة.
للحصول على مواصفات المنتج التفصيلية، يرجى الاطلاع على علامة تبويب المواصفات. اتصل بفريقنا لطلب معلومات الأسعار والتوافر والشحن.
المواصفات
Boundary voltage
20 V
Static current transfer coefficient
200...500
Collector junction capacitance
125
Current transfer coefficient modulus at high frequency
2
شارك متطلباتك للحصول على رد سريع!
رد فوري خلال 15 دقيقة
أفضل أسعار الجملة مضمونة
مباشرة من الشركة المصنعة
التسليم والدفع
شروط الشحن
وقت التسليم
الشحن البحري: 30-60 يوم (حسب الوجهة)
الشحن الجوي: 14-21 يوم (للطلبات العاجلة)
طرق الدفع
منتجات مماثلة قد تهمك
CMOS N-channel transistor AnB12N20
عرض التفاصيل
AnM450HBE065M Power IGBT Module
عرض التفاصيل
KT665A9 bipolar transistor
عرض التفاصيل
Special purpose high frequency pulse transistors 2T603B/IU
عرض التفاصيل
Bipolar transistor 1NT251 ?93.456.000?? (by U80.073.212GCh)
عرض التفاصيل
Powerful microwave transistor on the basis of gallium nitride PP9139B1
عرض التفاصيل
Power IGBT module AnM200RCB065M
عرض التفاصيل
Silicon epitaxial-planar N-P-N high-power high-voltage switching transistor of KT8143F type
عرض التفاصيل
DMOS N-channel transistor AnD1N70
عرض التفاصيل
High-power DMOS field-effect transistors 2P7246A-5
عرض التفاصيل
AnDM100AD17M power module
عرض التفاصيل
AnM200HBB12M power module
عرض التفاصيلموردون موثوقون
جميع المنتجات يتم الحصول عليها مباشرة من المصنعين الروس المعتمدين
ضمان الجودة
المنتجات تلبي معايير الجودة الدولية مع الشهادات المناسبة
الشحن العالمي
حلول لوجستية موثوقة لتوصيل المنتجات إلى موقعك
مدفوعات آمنة
خيارات دفع آمنة متعددة لتسهيل المعاملات الدولية