متاح للاستيراد
الشركة المصنعة:
السعر:
طلب عرض سعر
أسعار الجملة متاحة
شروط FOB و CIF و EXW متاحة
النقاط الرئيسية
- صنع في روسيا - مصمم للمتانة
- مناسب للبيئات الصعبة
- تكلفة ملكية أقل من البدائل الأوروبية
- طلبات الجملة متاحة مع خصومات على الكمية
- المساعدة في التوثيق والتخليص الجمركي مقدمة
الوصف
هذا high-power transistors مصنوع في روسيا ومتاح للاستيراد إلى الأسواق العالمية. المنتجات الروسية معروفة بمتانتها وموثوقيتها ونسبة السعر إلى الأداء الممتازة.
للحصول على مواصفات المنتج التفصيلية، يرجى الاطلاع على علامة تبويب المواصفات. اتصل بفريقنا لطلب معلومات الأسعار والتوافر والشحن.
المواصفات
Boundary voltage
20 V
Static current transfer coefficient
200...500
Collector junction capacitance
B1/B8 2100/900 MHz
Current transfer coefficient modulus at high frequency
2
شارك متطلباتك للحصول على رد سريع!
رد فوري خلال 15 دقيقة
أفضل أسعار الجملة مضمونة
مباشرة من الشركة المصنعة
التسليم والدفع
شروط الشحن
وقت التسليم
الشحن البحري: 30-60 يوم (حسب الوجهة)
الشحن الجوي: 14-21 يوم (للطلبات العاجلة)
طرق الدفع
منتجات مماثلة قد تهمك
High-voltage bipolar high-current transistors 2T8144VM1
عرض التفاصيل
Special purpose thyristor optocouplers 3OU186A
عرض التفاصيل
KT665A9 bipolar transistor
عرض التفاصيل
Powerful microwave transistor on the basis of gallium nitride PP9139B1
عرض التفاصيل
Transistor MIK8205
عرض التفاصيل
High-power DMOS field-effect transistors 2P7246A91
عرض التفاصيل
High-power DMOS field-effect transistors 2P7246A-5
عرض التفاصيل
Silicon planar N-P-N high-power high-voltage switching transistor of KT8144A type
عرض التفاصيل
AOT110B transistor optocoupler, (with local gold-plating of the leg)
عرض التفاصيل
Transistor 2T368A9/PK
عرض التفاصيل
Power IGBT module AnM100RCA065M
عرض التفاصيل
Transistor LDMOS Field Effect Microwave Transistor (pulse mode) L
عرض التفاصيلموردون موثوقون
جميع المنتجات يتم الحصول عليها مباشرة من المصنعين الروس المعتمدين
ضمان الجودة
المنتجات تلبي معايير الجودة الدولية مع الشهادات المناسبة
الشحن العالمي
حلول لوجستية موثوقة لتوصيل المنتجات إلى موقعك
مدفوعات آمنة
خيارات دفع آمنة متعددة لتسهيل المعاملات الدولية