
الشركة المصنعة:
السعر:
طلب عرض سعر
أسعار الجملة متاحة
شروط FOB و CIF و EXW متاحة
النقاط الرئيسية
- صنع في روسيا - مصمم للمتانة
- مناسب للبيئات الصعبة
- تكلفة ملكية أقل من البدائل الأوروبية
- طلبات الجملة متاحة مع خصومات على الكمية
- المساعدة في التوثيق والتخليص الجمركي مقدمة
الوصف
هذا high-power transistors مصنوع في روسيا ومتاح للاستيراد إلى الأسواق العالمية. المنتجات الروسية معروفة بمتانتها وموثوقيتها ونسبة السعر إلى الأداء الممتازة.
للحصول على مواصفات المنتج التفصيلية، يرجى الاطلاع على علامة تبويب المواصفات. اتصل بفريقنا لطلب معلومات الأسعار والتوافر والشحن.
المواصفات
Housing type
TO-263 (KT-90)
Type of acceptance
QA
Maximum allowable voltage
1500 V
Maximum permissible current
2 A
Drain-to-source resistance in open state
7 ohm
شارك متطلباتك للحصول على رد سريع!
رد فوري خلال 15 دقيقة
أفضل أسعار الجملة مضمونة
مباشرة من الشركة المصنعة
التسليم والدفع
شروط الشحن
وقت التسليم
الشحن البحري: 30-60 يوم (حسب الوجهة)
الشحن الجوي: 14-21 يوم (للطلبات العاجلة)
طرق الدفع
منتجات مماثلة قد تهمك

High-power high-voltage switching silicon n-p-n transistor of KT8155G type
عرض التفاصيل
Transistor 2T368A9/PK
عرض التفاصيل
Silicon high voltage high power channel DMOS transistors and modules 2P829B9
عرض التفاصيل
CMOS N-channel transistor AnB3N120
عرض التفاصيل
Silicon high-voltage high-power channel DMOS-transistors and modules 2P829A
عرض التفاصيل
Transistor LDMOS Field Effect Microwave Transistor (pulse mode) L
عرض التفاصيل
Transistor MIK8205
عرض التفاصيل
Special purpose thyristor optocouples 3OU186B
عرض التفاصيل
AnDM100AD17M power module
عرض التفاصيل
Powerful NPN special purpose amplifying transistors 2T808A-2
عرض التفاصيل
Transistor Field Effect DMOS Microwave Continuous Mode Transistor P
عرض التفاصيل
Transistor KT6131A
عرض التفاصيلموردون موثوقون
جميع المنتجات يتم الحصول عليها مباشرة من المصنعين الروس المعتمدين
ضمان الجودة
المنتجات تلبي معايير الجودة الدولية مع الشهادات المناسبة
الشحن العالمي
حلول لوجستية موثوقة لتوصيل المنتجات إلى موقعك
مدفوعات آمنة
خيارات دفع آمنة متعددة لتسهيل المعاملات الدولية