
الشركة المصنعة:
السعر:
طلب عرض سعر
أسعار الجملة متاحة
شروط FOB و CIF و EXW متاحة
النقاط الرئيسية
- صنع في روسيا - مصمم للمتانة
- مناسب للبيئات الصعبة
- تكلفة ملكية أقل من البدائل الأوروبية
- طلبات الجملة متاحة مع خصومات على الكمية
- المساعدة في التوثيق والتخليص الجمركي مقدمة
النماذج المتاحة
الوصف
هذا high-power transistors مصنوع في روسيا ومتاح للاستيراد إلى الأسواق العالمية. المنتجات الروسية معروفة بمتانتها وموثوقيتها ونسبة السعر إلى الأداء الممتازة.
للحصول على مواصفات المنتج التفصيلية، يرجى الاطلاع على علامة تبويب المواصفات. اتصل بفريقنا لطلب معلومات الأسعار والتوافر والشحن.
المواصفات
Configuration type
half-bridge
Housing type
MPK-62-2
Maximum permissible current
400 A
Maximum allowable voltage
1200 V
شارك متطلباتك للحصول على رد سريع!
رد فوري خلال 15 دقيقة
أفضل أسعار الجملة مضمونة
مباشرة من الشركة المصنعة
التسليم والدفع
شروط الشحن
وقت التسليم
الشحن البحري: 30-60 يوم (حسب الوجهة)
الشحن الجوي: 14-21 يوم (للطلبات العاجلة)
طرق الدفع
منتجات مماثلة قد تهمك

Power IGBT module AnM150HBEB12M
عرض التفاصيل
Transistor 2T3129B9/PK
عرض التفاصيل
Transistor Field Effect DMOS Microwave Continuous Mode Transistor P
عرض التفاصيل
Transistor LDMOS Field Effect Microwave Transistor (pulse mode) L
عرض التفاصيل
Silicon high-voltage high-power channel DMOS-transistors and modules 2P829A
عرض التفاصيل
Silicon epitaxial-planar N-P-N high-power high-voltage switching transistor of KT8143F type
عرض التفاصيل
Field transistor 2P527A9
عرض التفاصيل
Powerful microwave transistor based on gallium nitride PP9138B
عرض التفاصيل
High-power DMOS field-effect transistors 2P7246A91
عرض التفاصيل
AnDM150CD12M power module
عرض التفاصيل
High-power field-effect switching transistors for special purpose 2?7152?
عرض التفاصيل
CMOS N-channel transistor AnB12N20
عرض التفاصيلموردون موثوقون
جميع المنتجات يتم الحصول عليها مباشرة من المصنعين الروس المعتمدين
ضمان الجودة
المنتجات تلبي معايير الجودة الدولية مع الشهادات المناسبة
الشحن العالمي
حلول لوجستية موثوقة لتوصيل المنتجات إلى موقعك
مدفوعات آمنة
خيارات دفع آمنة متعددة لتسهيل المعاملات الدولية