متاح للاستيراد
الشركة المصنعة:
السعر:
طلب عرض سعر
أسعار الجملة متاحة
شروط FOB و CIF و EXW متاحة
النقاط الرئيسية
- صنع في روسيا - مصمم للمتانة
- مناسب للبيئات الصعبة
- تكلفة ملكية أقل من البدائل الأوروبية
- طلبات الجملة متاحة مع خصومات على الكمية
- المساعدة في التوثيق والتخليص الجمركي مقدمة
الوصف
هذا high-power transistors مصنوع في روسيا ومتاح للاستيراد إلى الأسواق العالمية. المنتجات الروسية معروفة بمتانتها وموثوقيتها ونسبة السعر إلى الأداء الممتازة.
للحصول على مواصفات المنتج التفصيلية، يرجى الاطلاع على علامة تبويب المواصفات. اتصل بفريقنا لطلب معلومات الأسعار والتوافر والشحن.
المواصفات
Housing type
TO-263 (KT-90)
Type of acceptance
QA
Maximum allowable voltage
500 V
Maximum permissible current
8 A
Drain-to-source resistance in open state
1 ohm
شارك متطلباتك للحصول على رد سريع!
رد فوري خلال 15 دقيقة
أفضل أسعار الجملة مضمونة
مباشرة من الشركة المصنعة
التسليم والدفع
شروط الشحن
وقت التسليم
الشحن البحري: 30-60 يوم (حسب الوجهة)
الشحن الجوي: 14-21 يوم (للطلبات العاجلة)
طرق الدفع
منتجات مماثلة قد تهمك
Power IGBT module AnM100RCA065M
عرض التفاصيل
Transistors and diodes in non-hermetic package AnR30IGB065D
عرض التفاصيل
Special purpose transistor optocouples 3OT127B
عرض التفاصيل
High-power NPN special-purpose amplifying transistors 2T968A-5
عرض التفاصيل
High-power DMOS field-effect transistors 2P7246A-5
عرض التفاصيل
High-power high-voltage switching silicon n-p-n transistor of KT8155G type
عرض التفاصيل
High-power high-voltage field-effect transistor KP829D
عرض التفاصيل
AnM100HBA12M power module
عرض التفاصيل
CMOS N-channel transistor AnB3N120
عرض التفاصيل
AnS150FRD065 power module
عرض التفاصيل
High-power high-voltage field-effect transistor KP829B
عرض التفاصيل
Powerful NPN special purpose amplifying transistors 2T808A-2
عرض التفاصيلموردون موثوقون
جميع المنتجات يتم الحصول عليها مباشرة من المصنعين الروس المعتمدين
ضمان الجودة
المنتجات تلبي معايير الجودة الدولية مع الشهادات المناسبة
الشحن العالمي
حلول لوجستية موثوقة لتوصيل المنتجات إلى موقعك
مدفوعات آمنة
خيارات دفع آمنة متعددة لتسهيل المعاملات الدولية