متاح للاستيراد
ترانزستور ثنائي القطب كيه تي 665 أ9 للتطبيقات السطحية
الشركة المصنعة:
ش.م مجموعة كريمني إل
السعر:
طلب عرض سعر
أسعار الجملة متاحة
شروط FOB و CIF و EXW متاحة
الوصف
هذا high-power transistors مصنوع في روسيا ومتاح للاستيراد إلى الأسواق العالمية. المنتجات الروسية معروفة بمتانتها وموثوقيتها ونسبة السعر إلى الأداء الممتازة.
للحصول على مواصفات المنتج التفصيلية، يرجى الاطلاع على علامة تبويب المواصفات. اتصل بفريقنا لطلب معلومات الأسعار والتوافر والشحن.
المواصفات
Designation
KT665A9
Foreign analog
BCX56
Case
KT-47
Fgr
SBVVBG
Ras
0.3 W
H21e
40-250
Ik max
1 A
Uke max
100 V
Structure
NPN
Type
bipolar
View
transistor
ملاحظة: جميع المواصفات مقدمة من الشركة المصنعة وقد تخضع للتغيير. يرجى الاتصال بنا لتأكيد أحدث المواصفات قبل تقديم طلبك.
شارك متطلباتك للحصول على رد سريع!
رد فوري خلال 15 دقيقة
أفضل أسعار الجملة مضمونة
مباشرة من الشركة المصنعة
التسليم والدفع
شروط الشحن
وقت التسليم
الشحن البحري: 30-60 يوم (حسب الوجهة)
الشحن الجوي: 14-21 يوم (للطلبات العاجلة)
طرق الدفع
منتجات مماثلة قد تهمك
أوبتوكيوبلر ثايرستور خاص 3OU186B
عرض التفاصيل
ترانزستور حقل N-قناة مدمج 2P526A9
عرض التفاصيل
ترانزستور سيليكون NPN عالي الجهد KT8155G
عرض التفاصيل
ترانزستور قوي كريستالي Epitaxial-Planar n-p-n KT879A
عرض التفاصيل
وحدة القوة MTKI-2000-25 للاستخدامات الصناعية
عرض التفاصيل
ترانزستور ميداني من النوع P-Channel 2P527A9
عرض التفاصيل
ترانزستور ثنائي القطب عالي الجهد 2T8143U
عرض التفاصيل
ترانزستورات قوية ثنائية القطب عالية الجهد 2T8144VM1
عرض التفاصيل
ترانزستورات وموديولات DMOF القوية عالية الجهد 2P829G9
عرض التفاصيل
ترانزستور LDMOS الميكروي للعمل النبضي 2P9116B 1030-1090 ميغاهرتز
عرض التفاصيل
ترانزستور ميكروويف قوي مبني على نيتريد الغاليوم PP9170E
عرض التفاصيل
وحدة IGBT القوية AnM450HBE12M للتحكم الفعال في الطاقة
عرض التفاصيلموردون موثوقون
جميع المنتجات يتم الحصول عليها مباشرة من المصنعين الروس المعتمدين
ضمان الجودة
المنتجات تلبي معايير الجودة الدولية مع الشهادات المناسبة
الشحن العالمي
حلول لوجستية موثوقة لتوصيل المنتجات إلى موقعك
مدفوعات آمنة
خيارات دفع آمنة متعددة لتسهيل المعاملات الدولية