متاح للاستيراد
الشركة المصنعة:
السعر:
طلب عرض سعر
أسعار الجملة متاحة
شروط FOB و CIF و EXW متاحة
النقاط الرئيسية
- صنع في روسيا - مصمم للمتانة
- مناسب للبيئات الصعبة
- تكلفة ملكية أقل من البدائل الأوروبية
- طلبات الجملة متاحة مع خصومات على الكمية
- المساعدة في التوثيق والتخليص الجمركي مقدمة
الوصف
هذا high-power transistors مصنوع في روسيا ومتاح للاستيراد إلى الأسواق العالمية. المنتجات الروسية معروفة بمتانتها وموثوقيتها ونسبة السعر إلى الأداء الممتازة.
للحصول على مواصفات المنتج التفصيلية، يرجى الاطلاع على علامة تبويب المواصفات. اتصل بفريقنا لطلب معلومات الأسعار والتوافر والشحن.
المواصفات
Gate leakage current
1.0E-7 A
Threshold voltage
2...4 V
Switch-on delay time
70
Rise time
125
Shutdown delay time
160
Decline time
65
شارك متطلباتك للحصول على رد سريع!
رد فوري خلال 15 دقيقة
أفضل أسعار الجملة مضمونة
مباشرة من الشركة المصنعة
التسليم والدفع
شروط الشحن
وقت التسليم
الشحن البحري: 30-60 يوم (حسب الوجهة)
الشحن الجوي: 14-21 يوم (للطلبات العاجلة)
طرق الدفع
منتجات مماثلة قد تهمك
High-power NPN special-purpose amplifying transistors 2T808A
عرض التفاصيل
CMOS N-channel transistor AnB12N20
عرض التفاصيل
Transistors and diodes in non-hermetic package AnR30IGB065D
عرض التفاصيل
CMOS P-channel transistor AnP53P03
عرض التفاصيل
Power IGBT module AnM75LCA12M
عرض التفاصيل
AnM200HBB12M power module
عرض التفاصيل
Transistors and diodes in non-hermetic packages AnS75IGB065D
عرض التفاصيل
CMOS N-channel transistor AnS140N06
عرض التفاصيل
Transistor KP7154BS
عرض التفاصيل
Field transistor 2P527A9
عرض التفاصيل
CMOS N-channel transistor AnB3N120
عرض التفاصيل
Powerful high-voltage field-effect transistor KP829A
عرض التفاصيلموردون موثوقون
جميع المنتجات يتم الحصول عليها مباشرة من المصنعين الروس المعتمدين
ضمان الجودة
المنتجات تلبي معايير الجودة الدولية مع الشهادات المناسبة
الشحن العالمي
حلول لوجستية موثوقة لتوصيل المنتجات إلى موقعك
مدفوعات آمنة
خيارات دفع آمنة متعددة لتسهيل المعاملات الدولية