
الشركة المصنعة:
السعر:
طلب عرض سعر
أسعار الجملة متاحة
شروط FOB و CIF و EXW متاحة
النقاط الرئيسية
- صنع في روسيا - مصمم للمتانة
- مناسب للبيئات الصعبة
- تكلفة ملكية أقل من البدائل الأوروبية
- طلبات الجملة متاحة مع خصومات على الكمية
- المساعدة في التوثيق والتخليص الجمركي مقدمة
الوصف
هذا high-power transistors مصنوع في روسيا ومتاح للاستيراد إلى الأسواق العالمية. المنتجات الروسية معروفة بمتانتها وموثوقيتها ونسبة السعر إلى الأداء الممتازة.
للحصول على مواصفات المنتج التفصيلية، يرجى الاطلاع على علامة تبويب المواصفات. اتصل بفريقنا لطلب معلومات الأسعار والتوافر والشحن.
المواصفات
Housing type
mpk-62
Type of acceptance
QA
Maximum allowable voltage
650 V
Maximum permissible current
200 A
Recovery time
200
Configuration type
half-bridge
شارك متطلباتك للحصول على رد سريع!
رد فوري خلال 15 دقيقة
أفضل أسعار الجملة مضمونة
مباشرة من الشركة المصنعة
التسليم والدفع
شروط الشحن
وقت التسليم
الشحن البحري: 30-60 يوم (حسب الوجهة)
الشحن الجوي: 14-21 يوم (للطلبات العاجلة)
طرق الدفع
منتجات مماثلة قد تهمك

Silicon high voltage high power channel DMOS transistors and modules 2P829J
عرض التفاصيل
Transistor KT3187B9
عرض التفاصيل
High-power NPN special-purpose switching transistors 2T867A OSM
عرض التفاصيل
Field transistor 2P527A9
عرض التفاصيل
Power IGBT module AnM100RCA065M
عرض التفاصيل
High-power DMOS field-effect transistors 2P7242A-4
عرض التفاصيل
Power IGBT module AnM150HBEB12M
عرض التفاصيل
Powerful microwave transistor on the basis of gallium nitride PP9170A
عرض التفاصيل
Power IGBT module AnM200RCB065M
عرض التفاصيل
High-power high-voltage field-effect transistor KP829B
عرض التفاصيل
CMOS N-channel transistor AnR40N20
عرض التفاصيل
High-power high-voltage switching silicon n-p-n transistor of KT8155G type
عرض التفاصيلموردون موثوقون
جميع المنتجات يتم الحصول عليها مباشرة من المصنعين الروس المعتمدين
ضمان الجودة
المنتجات تلبي معايير الجودة الدولية مع الشهادات المناسبة
الشحن العالمي
حلول لوجستية موثوقة لتوصيل المنتجات إلى موقعك
مدفوعات آمنة
خيارات دفع آمنة متعددة لتسهيل المعاملات الدولية