All Categories
Contact WhatsApp

Categories

Language

Quick Links

WhatsApp Inquiry
متاح للاستيراد

High-Power Transistors
الشركة المصنعة:
السعر: طلب عرض سعر

أسعار الجملة متاحة

شروط FOB و CIF و EXW متاحة

النقاط الرئيسية

  • صنع في روسيا - مصمم للمتانة
  • مناسب للبيئات الصعبة
  • تكلفة ملكية أقل من البدائل الأوروبية
  • طلبات الجملة متاحة مع خصومات على الكمية
  • المساعدة في التوثيق والتخليص الجمركي مقدمة

النماذج المتاحة

Power IGBT module AnM150HBEB12M Power IGBT module AnM200LCB12M Power IGBT module AnM150RCB12M Power IGBT module AnM300HBBB065M Power IGBT module AnM300LCB12H

الوصف

هذا high-power transistors مصنوع في روسيا ومتاح للاستيراد إلى الأسواق العالمية. المنتجات الروسية معروفة بمتانتها وموثوقيتها ونسبة السعر إلى الأداء الممتازة.

للحصول على مواصفات المنتج التفصيلية، يرجى الاطلاع على علامة تبويب المواصفات. اتصل بفريقنا لطلب معلومات الأسعار والتوافر والشحن.

المواصفات

Housing type
mpk-62
Type of acceptance
QA
Maximum allowable voltage
1200 V
Maximum permissible current
200 A
Recovery time
190
Configuration type
half-bridge
وفر وقتك

شارك متطلباتك للحصول على رد سريع!

رد فوري خلال 15 دقيقة
أفضل أسعار الجملة مضمونة
مباشرة من الشركة المصنعة

التسليم والدفع

شروط الشحن

FOB نوفوروسيسك، روسيا CIF متاح للموانئ الرئيسية في جميع أنحاء العالم EXW منشأة الشركة المصنعة، روسيا

وقت التسليم

الشحن البحري: 30-60 يوم (حسب الوجهة) الشحن الجوي: 14-21 يوم (للطلبات العاجلة)

طرق الدفع

خطاب الاعتماد (L/C) التحويل البنكي (T/T) خدمات الضمان

منتجات مماثلة قد تهمك

High-power high-voltage field-effect transistor KP829B9

High-power high-voltage field-effect transistor KP829B9

عرض التفاصيل
Transistors and diodes in non-hermetic package AnR30IGB065D

Transistors and diodes in non-hermetic package AnR30IGB065D

عرض التفاصيل
Powerful NPN special purpose amplifying transistors 2T808A-2

Powerful NPN special purpose amplifying transistors 2T808A-2

عرض التفاصيل
Power IGBT module AnM100RCA065M

Power IGBT module AnM100RCA065M

عرض التفاصيل
Silicon high voltage high power channel DMOS transistors and modules 2P829G

Silicon high voltage high power channel DMOS transistors and modules 2P829G

عرض التفاصيل
Powerful linear LDMOS transistor KP9171A

Powerful linear LDMOS transistor KP9171A

عرض التفاصيل
Powerful microwave transistor on the basis of gallium nitride PP9139B1

Powerful microwave transistor on the basis of gallium nitride PP9139B1

عرض التفاصيل
Transistor 2T368A9/PK

Transistor 2T368A9/PK

عرض التفاصيل
Silicon high-voltage high-power channel DMOS-transistors and modules 2P829A

Silicon high-voltage high-power channel DMOS-transistors and modules 2P829A

عرض التفاصيل
Transistor LDMOS Field Effect Microwave Transistor (pulse mode) L

Transistor LDMOS Field Effect Microwave Transistor (pulse mode) L

عرض التفاصيل
AnDM200EA12M power module

AnDM200EA12M power module

عرض التفاصيل
High-power high-voltage field-effect transistor KP829B

High-power high-voltage field-effect transistor KP829B

عرض التفاصيل

موردون موثوقون

جميع المنتجات يتم الحصول عليها مباشرة من المصنعين الروس المعتمدين

ضمان الجودة

المنتجات تلبي معايير الجودة الدولية مع الشهادات المناسبة

الشحن العالمي

حلول لوجستية موثوقة لتوصيل المنتجات إلى موقعك

مدفوعات آمنة

خيارات دفع آمنة متعددة لتسهيل المعاملات الدولية

تم استلام طلب معاودة الاتصال. سنتصل بك قريباً.