
الشركة المصنعة:
السعر:
طلب عرض سعر
أسعار الجملة متاحة
شروط FOB و CIF و EXW متاحة
النقاط الرئيسية
- صنع في روسيا - مصمم للمتانة
- مناسب للبيئات الصعبة
- تكلفة ملكية أقل من البدائل الأوروبية
- طلبات الجملة متاحة مع خصومات على الكمية
- المساعدة في التوثيق والتخليص الجمركي مقدمة
الوصف
هذا high-power transistors مصنوع في روسيا ومتاح للاستيراد إلى الأسواق العالمية. المنتجات الروسية معروفة بمتانتها وموثوقيتها ونسبة السعر إلى الأداء الممتازة.
للحصول على مواصفات المنتج التفصيلية، يرجى الاطلاع على علامة تبويب المواصفات. اتصل بفريقنا لطلب معلومات الأسعار والتوافر والشحن.
المواصفات
Collector-emitter boundary voltage
450 V
Collector-base voltage
1000 V
Collector-emitter saturation voltage
1.5 V
شارك متطلباتك للحصول على رد سريع!
رد فوري خلال 15 دقيقة
أفضل أسعار الجملة مضمونة
مباشرة من الشركة المصنعة
التسليم والدفع
شروط الشحن
وقت التسليم
الشحن البحري: 30-60 يوم (حسب الوجهة)
الشحن الجوي: 14-21 يوم (للطلبات العاجلة)
طرق الدفع
منتجات مماثلة قد تهمك

Transistor KT6131A
عرض التفاصيل
Silicon high voltage high power channel DMOS transistors and modules 2P829G
عرض التفاصيل
Transistor 2T3129B9/PK
عرض التفاصيل
CMOS P-channel transistor AnP53P03
عرض التفاصيل
Transistor MIK8205
عرض التفاصيل
Powerful microwave transistor on the basis of gallium nitride PP9139A1
عرض التفاصيل
Power IGBT module AnM100RCA065M
عرض التفاصيل
Special purpose thyristor optocouplers 3OU186A
عرض التفاصيل
Silicon planar N-P-N high-power high-voltage switching transistor of KT8121B2 type
عرض التفاصيل
Silicon high voltage high power channel DMOS transistors and modules 2P829B9
عرض التفاصيل
Powerful linear LDMOS transistor KP9171A
عرض التفاصيل
AnM450HBE065M Power IGBT Module
عرض التفاصيلموردون موثوقون
جميع المنتجات يتم الحصول عليها مباشرة من المصنعين الروس المعتمدين
ضمان الجودة
المنتجات تلبي معايير الجودة الدولية مع الشهادات المناسبة
الشحن العالمي
حلول لوجستية موثوقة لتوصيل المنتجات إلى موقعك
مدفوعات آمنة
خيارات دفع آمنة متعددة لتسهيل المعاملات الدولية