
الشركة المصنعة:
السعر:
طلب عرض سعر
أسعار الجملة متاحة
شروط FOB و CIF و EXW متاحة
النقاط الرئيسية
- صنع في روسيا - مصمم للمتانة
- مناسب للبيئات الصعبة
- تكلفة ملكية أقل من البدائل الأوروبية
- طلبات الجملة متاحة مع خصومات على الكمية
- المساعدة في التوثيق والتخليص الجمركي مقدمة
الوصف
هذا high-power transistors مصنوع في روسيا ومتاح للاستيراد إلى الأسواق العالمية. المنتجات الروسية معروفة بمتانتها وموثوقيتها ونسبة السعر إلى الأداء الممتازة.
للحصول على مواصفات المنتج التفصيلية، يرجى الاطلاع على علامة تبويب المواصفات. اتصل بفريقنا لطلب معلومات الأسعار والتوافر والشحن.
المواصفات
Collector-emitter boundary voltage
180 V
Collector-emitter saturation voltage
0.8 V
شارك متطلباتك للحصول على رد سريع!
رد فوري خلال 15 دقيقة
أفضل أسعار الجملة مضمونة
مباشرة من الشركة المصنعة
التسليم والدفع
شروط الشحن
وقت التسليم
الشحن البحري: 30-60 يوم (حسب الوجهة)
الشحن الجوي: 14-21 يوم (للطلبات العاجلة)
طرق الدفع
منتجات مماثلة قد تهمك

Silicon high-voltage high-power channel DMOS transistors and modules 2P829I9
عرض التفاصيل
Transistor LDMOS Field Effect Microwave Transistor (pulse mode) L
عرض التفاصيل
High-power high-voltage field-effect transistor KP829B
عرض التفاصيل
AnDM400SC12M power module
عرض التفاصيل
Silicon epitaxial-planar N-P-N high-power high-voltage switching transistor of KT8143F type
عرض التفاصيل
Powerful microwave transistors based on gallium nitride PP9136A
عرض التفاصيل
High-power field-effect switching transistors for special purpose 2?7152?
عرض التفاصيل
Power keys K1376KI014
عرض التفاصيل
High-frequency special-purpose field-effect transistors 2?301B/IU
عرض التفاصيل
Special purpose transistor optocouples 3OT123A9 OSM
عرض التفاصيل
Transistor 2T3129B9/PK
عرض التفاصيل
CMOS N-channel transistor AnB3N120
عرض التفاصيلموردون موثوقون
جميع المنتجات يتم الحصول عليها مباشرة من المصنعين الروس المعتمدين
ضمان الجودة
المنتجات تلبي معايير الجودة الدولية مع الشهادات المناسبة
الشحن العالمي
حلول لوجستية موثوقة لتوصيل المنتجات إلى موقعك
مدفوعات آمنة
خيارات دفع آمنة متعددة لتسهيل المعاملات الدولية