متاح للاستيراد
الشركة المصنعة:
السعر:
طلب عرض سعر
أسعار الجملة متاحة
شروط FOB و CIF و EXW متاحة
النقاط الرئيسية
- صنع في روسيا - مصمم للمتانة
- مناسب للبيئات الصعبة
- تكلفة ملكية أقل من البدائل الأوروبية
- طلبات الجملة متاحة مع خصومات على الكمية
- المساعدة في التوثيق والتخليص الجمركي مقدمة
الوصف
هذا high-power transistors مصنوع في روسيا ومتاح للاستيراد إلى الأسواق العالمية. المنتجات الروسية معروفة بمتانتها وموثوقيتها ونسبة السعر إلى الأداء الممتازة.
للحصول على مواصفات المنتج التفصيلية، يرجى الاطلاع على علامة تبويب المواصفات. اتصل بفريقنا لطلب معلومات الأسعار والتوافر والشحن.
المواصفات
Initial drain current
0.0005 A
Gate leakage current
1.0E-7 A
Drain-to-source resistance in open state
0.05 ohm
Threshold voltage
2...4 V
Switch-on delay time
55
Rise time
SBVVBG
Shutdown delay time
170
Decline time
SBVVBG
التسليم والدفع
شروط الشحن
وقت التسليم
الشحن البحري: 30-60 يوم (حسب الوجهة)
الشحن الجوي: 14-21 يوم (للطلبات العاجلة)
طرق الدفع
اتصل بنا
اتصل بأخصائيي الاستيراد لدينا
منتجات مماثلة قد تهمك
CMOS N-channel transistor AnS140N06
عرض التفاصيل
Transistor 2T3108A/PK
عرض التفاصيل
Bipolar transistor 1NT251 ?93.456.000?? (by U80.073.212GCh)
عرض التفاصيل
High-frequency pulse transistors of special purpose 2T606A
عرض التفاصيل
Power IGBT module AnM200RCB065M
عرض التفاصيل
AnM200HBB12M power module
عرض التفاصيل
CMOS N-channel transistor AnB12N20
عرض التفاصيل
High-power high-voltage field-effect transistor KP829B9
عرض التفاصيل
AnM100HBA12M power module
عرض التفاصيل
Power keys K3003KI014A
عرض التفاصيل
Power module MTKI-2000-25
عرض التفاصيل
Powerful high-voltage field-effect transistor KP829A9
عرض التفاصيلموردون موثوقون
جميع المنتجات يتم الحصول عليها مباشرة من المصنعين الروس المعتمدين
ضمان الجودة
المنتجات تلبي معايير الجودة الدولية مع الشهادات المناسبة
الشحن العالمي
حلول لوجستية موثوقة لتوصيل المنتجات إلى موقعك
مدفوعات آمنة
خيارات دفع آمنة متعددة لتسهيل المعاملات الدولية