متاح للاستيراد
الشركة المصنعة:
ش.م مصنع إسكرا
السعر:
طلب عرض سعر
أسعار الجملة متاحة
شروط FOB و CIF و EXW متاحة
النماذج المتاحة
Silicon Planar Transistor 2T117V OSH for Electronic Devices
High-frequency special purpose pulse transistors 2T603B/IU OSM
High-frequency pulse transistors of special purpose 2T608A/IU
High-frequency special-purpose field-effect transistors 2P305A/IU
High-frequency special-purpose field-effect transistors 2P305B/IU
الوصف
هذا high-power transistors مصنوع في روسيا ومتاح للاستيراد إلى الأسواق العالمية. المنتجات الروسية معروفة بمتانتها وموثوقيتها ونسبة السعر إلى الأداء الممتازة.
للحصول على مواصفات المنتج التفصيلية، يرجى الاطلاع على علامة تبويب المواصفات. اتصل بفريقنا لطلب معلومات الأسعار والتوافر والشحن.
المواصفات
Cut-off voltage
6 V
Gate leakage current
1.0E-9 A
شارك متطلباتك للحصول على رد سريع!
رد فوري خلال 15 دقيقة
أفضل أسعار الجملة مضمونة
مباشرة من الشركة المصنعة
التسليم والدفع
شروط الشحن
وقت التسليم
الشحن البحري: 30-60 يوم (حسب الوجهة)
الشحن الجوي: 14-21 يوم (للطلبات العاجلة)
طرق الدفع
منتجات مماثلة قد تهمك
وحدة الطاقة AnM200SSP25M للاستخدام الصناعي
عرض التفاصيلترانزستور LDMOS الخطي القوي KP9171BS
عرض التفاصيلترانزستور ميداني من النوع P-Channel 2P527A9
عرض التفاصيلمفاتيح الطاقة K1376KI014 - مفاتيح عالية الأداء
عرض التفاصيلأوبتوكوبلر ترانزستوري AOT123A مع طلاء ذهبي محلي
عرض التفاصيلترانزستورات وقنوات DMOS عالية الجهد 2P829B9
عرض التفاصيلمفاتيح الطاقة K3003KI014
عرض التفاصيلترانزستور NPN قوي 2T808A للاستخدامات الخاصة
عرض التفاصيلالوحدة القوة AnM100HBA12M - أداء عالي الكفاءة
عرض التفاصيلترانزستورات وقنوات سيليكون ذات جهد عالي 2P829G
عرض التفاصيلترانزستور سيليكون إبيتاكسيال-بلاني KT3187B9
عرض التفاصيلترانزستور تحكم عالي الجهد من نوع N-P-N كريمي KT8190V
عرض التفاصيلموردون موثوقون
جميع المنتجات يتم الحصول عليها مباشرة من المصنعين الروس المعتمدين
ضمان الجودة
المنتجات تلبي معايير الجودة الدولية مع الشهادات المناسبة
الشحن العالمي
حلول لوجستية موثوقة لتوصيل المنتجات إلى موقعك
مدفوعات آمنة
خيارات دفع آمنة متعددة لتسهيل المعاملات الدولية