
الشركة المصنعة:
السعر:
طلب عرض سعر
أسعار الجملة متاحة
شروط FOB و CIF و EXW متاحة
النقاط الرئيسية
- صنع في روسيا - مصمم للمتانة
- مناسب للبيئات الصعبة
- تكلفة ملكية أقل من البدائل الأوروبية
- طلبات الجملة متاحة مع خصومات على الكمية
- المساعدة في التوثيق والتخليص الجمركي مقدمة
الوصف
هذا high-power transistors مصنوع في روسيا ومتاح للاستيراد إلى الأسواق العالمية. المنتجات الروسية معروفة بمتانتها وموثوقيتها ونسبة السعر إلى الأداء الممتازة.
للحصول على مواصفات المنتج التفصيلية، يرجى الاطلاع على علامة تبويب المواصفات. اتصل بفريقنا لطلب معلومات الأسعار والتوافر والشحن.
المواصفات
Housing type
TO-220 (KT-28-2)
Type of acceptance
QA
Maximum allowable voltage
30 V
Maximum permissible current
46 A
Drain-to-source resistance in open state
0.016 ohm
شارك متطلباتك للحصول على رد سريع!
رد فوري خلال 15 دقيقة
أفضل أسعار الجملة مضمونة
مباشرة من الشركة المصنعة
التسليم والدفع
شروط الشحن
وقت التسليم
الشحن البحري: 30-60 يوم (حسب الوجهة)
الشحن الجوي: 14-21 يوم (للطلبات العاجلة)
طرق الدفع
منتجات مماثلة قد تهمك

CMOS N-channel transistor AnR40N20
عرض التفاصيل
Power IGBT module AnM200RCB065M
عرض التفاصيل
Transistor KT908A
عرض التفاصيل
Powerful microwave transistor on the basis of gallium nitride PP9139B1
عرض التفاصيل
Special purpose high frequency pulse transistors 2T603B/IU
عرض التفاصيل
High-power NPN special-purpose amplifying transistors 2T808A
عرض التفاصيل
CMOS N-channel transistor AnB3N120
عرض التفاصيل
Power keys K3003KI014
عرض التفاصيل
Powerful microwave transistor on the basis of gallium nitride PP9139A1
عرض التفاصيل
Powerful high-voltage field-effect transistor KP829A9
عرض التفاصيل
High-power high-voltage switching silicon n-p-n transistor of KT8155G type
عرض التفاصيل
High-power high-voltage field-effect transistor KP829J
عرض التفاصيلموردون موثوقون
جميع المنتجات يتم الحصول عليها مباشرة من المصنعين الروس المعتمدين
ضمان الجودة
المنتجات تلبي معايير الجودة الدولية مع الشهادات المناسبة
الشحن العالمي
حلول لوجستية موثوقة لتوصيل المنتجات إلى موقعك
مدفوعات آمنة
خيارات دفع آمنة متعددة لتسهيل المعاملات الدولية