
الشركة المصنعة:
السعر:
طلب عرض سعر
أسعار الجملة متاحة
شروط FOB و CIF و EXW متاحة
النقاط الرئيسية
- صنع في روسيا - مصمم للمتانة
- مناسب للبيئات الصعبة
- تكلفة ملكية أقل من البدائل الأوروبية
- طلبات الجملة متاحة مع خصومات على الكمية
- المساعدة في التوثيق والتخليص الجمركي مقدمة
الوصف
هذا high-power transistors مصنوع في روسيا ومتاح للاستيراد إلى الأسواق العالمية. المنتجات الروسية معروفة بمتانتها وموثوقيتها ونسبة السعر إلى الأداء الممتازة.
للحصول على مواصفات المنتج التفصيلية، يرجى الاطلاع على علامة تبويب المواصفات. اتصل بفريقنا لطلب معلومات الأسعار والتوافر والشحن.
المواصفات
Housing type
TO-220 (KT-28-2)
Type of acceptance
QA
Maximum allowable voltage
1200 V
Maximum permissible current
3 A
Drain-to-source resistance in open state
4.7 ohm
شارك متطلباتك للحصول على رد سريع!
رد فوري خلال 15 دقيقة
أفضل أسعار الجملة مضمونة
مباشرة من الشركة المصنعة
التسليم والدفع
شروط الشحن
وقت التسليم
الشحن البحري: 30-60 يوم (حسب الوجهة)
الشحن الجوي: 14-21 يوم (للطلبات العاجلة)
طرق الدفع
منتجات مماثلة قد تهمك

AnM450HBE065M Power IGBT Module
عرض التفاصيل
Power keys K3003KI014A
عرض التفاصيل
Power IGBT module AnM100RCA065M
عرض التفاصيل
Transistor KT3187B9
عرض التفاصيل
AOT123A transistor optocoupler (with local gold-plating of the leg)
عرض التفاصيل
Transistor 2T117B OSM
عرض التفاصيل
High-power DMOS field-effect transistors 2P7246A91
عرض التفاصيل
Transistor KT6131A
عرض التفاصيل
AnS150FRD065 power module
عرض التفاصيل
Silicon epitaxial-planar N-P-N high-power high-voltage switching transistor of KT8143F type
عرض التفاصيل
Silicon high-voltage high-power channel DMOS transistors and modules 2P829I9
عرض التفاصيل
Transistor 2T3129B9/PK
عرض التفاصيلموردون موثوقون
جميع المنتجات يتم الحصول عليها مباشرة من المصنعين الروس المعتمدين
ضمان الجودة
المنتجات تلبي معايير الجودة الدولية مع الشهادات المناسبة
الشحن العالمي
حلول لوجستية موثوقة لتوصيل المنتجات إلى موقعك
مدفوعات آمنة
خيارات دفع آمنة متعددة لتسهيل المعاملات الدولية