
الشركة المصنعة:
السعر:
طلب عرض سعر
أسعار الجملة متاحة
شروط FOB و CIF و EXW متاحة
النقاط الرئيسية
- صنع في روسيا - مصمم للمتانة
- مناسب للبيئات الصعبة
- تكلفة ملكية أقل من البدائل الأوروبية
- طلبات الجملة متاحة مع خصومات على الكمية
- المساعدة في التوثيق والتخليص الجمركي مقدمة
الوصف
هذا high-power transistors مصنوع في روسيا ومتاح للاستيراد إلى الأسواق العالمية. المنتجات الروسية معروفة بمتانتها وموثوقيتها ونسبة السعر إلى الأداء الممتازة.
للحصول على مواصفات المنتج التفصيلية، يرجى الاطلاع على علامة تبويب المواصفات. اتصل بفريقنا لطلب معلومات الأسعار والتوافر والشحن.
المواصفات
Housing type
TO-252 (KT-89)
Type of acceptance
QA
Maximum allowable voltage
700 V
Maximum permissible current
2 A
Drain-to-source resistance in open state
6 ohm
شارك متطلباتك للحصول على رد سريع!
رد فوري خلال 15 دقيقة
أفضل أسعار الجملة مضمونة
مباشرة من الشركة المصنعة
التسليم والدفع
شروط الشحن
وقت التسليم
الشحن البحري: 30-60 يوم (حسب الوجهة)
الشحن الجوي: 14-21 يوم (للطلبات العاجلة)
طرق الدفع
منتجات مماثلة قد تهمك

High-voltage high-power n-channel DMOS transistor KP7154BS
عرض التفاصيل
Transistor KT908A
عرض التفاصيل
AnS150FRD065 power module
عرض التفاصيل
Powerful microwave transistors based on gallium nitride PP9136A
عرض التفاصيل
Powerful microwave transistor on the basis of gallium nitride PP9170B
عرض التفاصيل
Silicon high-voltage high-power channel DMOS transistors and modules 2P829I9
عرض التفاصيل
Transistor 2T368A/PK
عرض التفاصيل
High-power DMOS field-effect transistors 2P7242A-4
عرض التفاصيل
High-voltage bipolar high-current transistors 2T8144BM1
عرض التفاصيل
Powerful microwave transistor on the basis of gallium nitride PP9139B1
عرض التفاصيل
AnDM400SC12M power module
عرض التفاصيل
High-voltage bipolar high-current transistors 2T8143F1
عرض التفاصيلموردون موثوقون
جميع المنتجات يتم الحصول عليها مباشرة من المصنعين الروس المعتمدين
ضمان الجودة
المنتجات تلبي معايير الجودة الدولية مع الشهادات المناسبة
الشحن العالمي
حلول لوجستية موثوقة لتوصيل المنتجات إلى موقعك
مدفوعات آمنة
خيارات دفع آمنة متعددة لتسهيل المعاملات الدولية