
الشركة المصنعة:
السعر:
طلب عرض سعر
أسعار الجملة متاحة
شروط FOB و CIF و EXW متاحة
النقاط الرئيسية
- صنع في روسيا - مصمم للمتانة
- مناسب للبيئات الصعبة
- تكلفة ملكية أقل من البدائل الأوروبية
- طلبات الجملة متاحة مع خصومات على الكمية
- المساعدة في التوثيق والتخليص الجمركي مقدمة
الوصف
هذا high-power transistors مصنوع في روسيا ومتاح للاستيراد إلى الأسواق العالمية. المنتجات الروسية معروفة بمتانتها وموثوقيتها ونسبة السعر إلى الأداء الممتازة.
للحصول على مواصفات المنتج التفصيلية، يرجى الاطلاع على علامة تبويب المواصفات. اتصل بفريقنا لطلب معلومات الأسعار والتوافر والشحن.
المواصفات
Housing type
TO-252 (KT-89)
Type of acceptance
QA
Maximum allowable voltage
1200 V
Maximum permissible current
2 A
Drain-to-source resistance in open state
11 ohm
شارك متطلباتك للحصول على رد سريع!
رد فوري خلال 15 دقيقة
أفضل أسعار الجملة مضمونة
مباشرة من الشركة المصنعة
التسليم والدفع
شروط الشحن
وقت التسليم
الشحن البحري: 30-60 يوم (حسب الوجهة)
الشحن الجوي: 14-21 يوم (للطلبات العاجلة)
طرق الدفع
منتجات مماثلة قد تهمك

Powerful microwave transistor on the basis of gallium nitride PP9137A
عرض التفاصيل
Special purpose transistor optocouples 3OT123G OSM
عرض التفاصيل
AnDM400SC12M power module
عرض التفاصيل
High-power high-voltage field-effect transistor KP829J
عرض التفاصيل
CMOS N-channel transistor AnB3N120
عرض التفاصيل
Silicon high-voltage high-power channel DMOS-transistors and modules 2P829A
عرض التفاصيل
Transistors and diodes in non-hermetic packages AnS75IGB065D
عرض التفاصيل
CMOS N-channel transistor AnU12N10L
عرض التفاصيل
Power IGBT module AnM75LCA12M
عرض التفاصيل
Silicon high-voltage high-power channel DMOS transistors and modules 2P829I9
عرض التفاصيل
Transistors and diodes in non-hermetic package AnR30IGB065D
عرض التفاصيل
CMOS N-channel transistor AnB12N20
عرض التفاصيلموردون موثوقون
جميع المنتجات يتم الحصول عليها مباشرة من المصنعين الروس المعتمدين
ضمان الجودة
المنتجات تلبي معايير الجودة الدولية مع الشهادات المناسبة
الشحن العالمي
حلول لوجستية موثوقة لتوصيل المنتجات إلى موقعك
مدفوعات آمنة
خيارات دفع آمنة متعددة لتسهيل المعاملات الدولية