All Categories
Contact WhatsApp

Categories

Language

Quick Links

WhatsApp Inquiry
متاح للاستيراد

High-Power Transistors
الشركة المصنعة:
السعر: طلب عرض سعر

أسعار الجملة متاحة

شروط FOB و CIF و EXW متاحة

النقاط الرئيسية

  • صنع في روسيا - مصمم للمتانة
  • مناسب للبيئات الصعبة
  • تكلفة ملكية أقل من البدائل الأوروبية
  • طلبات الجملة متاحة مع خصومات على الكمية
  • المساعدة في التوثيق والتخليص الجمركي مقدمة

النماذج المتاحة

Transistors and diodes in non-hermetic package AnR30IGB065D CMOS N-channel transistor AnR27N20 CMOS N-channel transistor AnR16N60 CMOS N-channel transistor AnR16N50 CMOS N-channel transistor AnR7N120

الوصف

هذا high-power transistors مصنوع في روسيا ومتاح للاستيراد إلى الأسواق العالمية. المنتجات الروسية معروفة بمتانتها وموثوقيتها ونسبة السعر إلى الأداء الممتازة.

للحصول على مواصفات المنتج التفصيلية، يرجى الاطلاع على علامة تبويب المواصفات. اتصل بفريقنا لطلب معلومات الأسعار والتوافر والشحن.

المواصفات

Housing type
TO-247 (KT-43V)
Type of acceptance
QA
Maximum allowable voltage
1200 V
Maximum permissible current
30 A
وفر وقتك

شارك متطلباتك للحصول على رد سريع!

رد فوري خلال 15 دقيقة
أفضل أسعار الجملة مضمونة
مباشرة من الشركة المصنعة

التسليم والدفع

شروط الشحن

FOB نوفوروسيسك، روسيا CIF متاح للموانئ الرئيسية في جميع أنحاء العالم EXW منشأة الشركة المصنعة، روسيا

وقت التسليم

الشحن البحري: 30-60 يوم (حسب الوجهة) الشحن الجوي: 14-21 يوم (للطلبات العاجلة)

طرق الدفع

خطاب الاعتماد (L/C) التحويل البنكي (T/T) خدمات الضمان

منتجات مماثلة قد تهمك

High-power high-voltage field-effect transistor KP829D

High-power high-voltage field-effect transistor KP829D

عرض التفاصيل
High-power NPN special-purpose amplifying transistors 2T808A

High-power NPN special-purpose amplifying transistors 2T808A

عرض التفاصيل
High-power high-voltage field-effect transistor KP829J

High-power high-voltage field-effect transistor KP829J

عرض التفاصيل
AnDM150CD12M power module

AnDM150CD12M power module

عرض التفاصيل
Powerful microwave transistor on the basis of gallium nitride PP9137A

Powerful microwave transistor on the basis of gallium nitride PP9137A

عرض التفاصيل
Silicon high-voltage high-power channel DMOS transistors and modules 2P829I9

Silicon high-voltage high-power channel DMOS transistors and modules 2P829I9

عرض التفاصيل
Special purpose high frequency pulse transistors 2T603B/IU

Special purpose high frequency pulse transistors 2T603B/IU

عرض التفاصيل
Silicon high voltage high power channel DMOS transistors and modules 2P829J

Silicon high voltage high power channel DMOS transistors and modules 2P829J

عرض التفاصيل
Transistors and diodes in non-hermetic package AnR30IGB065D

Transistors and diodes in non-hermetic package AnR30IGB065D

عرض التفاصيل
Silicon high voltage high power channel DMOS transistors and modules 2P829B9

Silicon high voltage high power channel DMOS transistors and modules 2P829B9

عرض التفاصيل
Transistor LDMOS Field Effect Microwave Transistor (pulse mode) L

Transistor LDMOS Field Effect Microwave Transistor (pulse mode) L

عرض التفاصيل
Powerful linear LDMOS transistor KP9171BS

Powerful linear LDMOS transistor KP9171BS

عرض التفاصيل

موردون موثوقون

جميع المنتجات يتم الحصول عليها مباشرة من المصنعين الروس المعتمدين

ضمان الجودة

المنتجات تلبي معايير الجودة الدولية مع الشهادات المناسبة

الشحن العالمي

حلول لوجستية موثوقة لتوصيل المنتجات إلى موقعك

مدفوعات آمنة

خيارات دفع آمنة متعددة لتسهيل المعاملات الدولية

تم استلام طلب معاودة الاتصال. سنتصل بك قريباً.