متاح للاستيراد
الشركة المصنعة:
ش.م نييت
السعر:
طلب عرض سعر
أسعار الجملة متاحة
شروط FOB و CIF و EXW متاحة
النماذج المتاحة
Continuous Mode DMOS RF Transistor P - 2P979B, 230MHz
Transistor LDMOS Field Effect Transistor LDMOS Microwave Continuous Mode Transistor P
Transistor Field Effect LDMOS Microwave Transistor (linear) P
Transistor Bipolar microwave transistor continuous mode transistor P
Transistor Field Effect DMOS Microwave Continuous Mode Transistor P
الوصف
هذا high-power transistors مصنوع في روسيا ومتاح للاستيراد إلى الأسواق العالمية. المنتجات الروسية معروفة بمتانتها وموثوقيتها ونسبة السعر إلى الأداء الممتازة.
للحصول على مواصفات المنتج التفصيلية، يرجى الاطلاع على علامة تبويب المواصفات. اتصل بفريقنا لطلب معلومات الأسعار والتوافر والشحن.
المواصفات
Name
LDMOS microwave field-effect pulsed mode transistor L - frequency range
Designation
2P9110C
شارك متطلباتك للحصول على رد سريع!
رد فوري خلال 15 دقيقة
أفضل أسعار الجملة مضمونة
مباشرة من الشركة المصنعة
التسليم والدفع
شروط الشحن
وقت التسليم
الشحن البحري: 30-60 يوم (حسب الوجهة)
الشحن الجوي: 14-21 يوم (للطلبات العاجلة)
طرق الدفع
منتجات مماثلة قد تهمك
وحدة القوة MTKI-2000-25 للاستخدامات الصناعية
عرض التفاصيلترانزستور MOSFET N-قناة AnB12N20
عرض التفاصيلوحدة IGBT القوية AnM100RCA065M
عرض التفاصيلترانزستور MIK8205 N- قناة مزدوج
عرض التفاصيلوحدة IGBT للطاقة AnM75LCA12M
عرض التفاصيلترانزستور حقل عالي الجهد KP829A
عرض التفاصيلمفاتيح الطاقة K1376KI014 - مفاتيح عالية الأداء
عرض التفاصيلترانزستور سيليكون إبيتاكسيال بلانار p-n-p 2T3129B9/PK
عرض التفاصيلوحدة IGBT القوية AnM450HBE12M للتحكم الفعال في الطاقة
عرض التفاصيلوحدة IGBT عالية القدرة AnM150HBEВ12M
عرض التفاصيلأوبتوكوبلر ترانزستوري للاستخدام الخاص 3OT123B9 OSH
عرض التفاصيلترانزستور سيليكون إبيتاكسيال-بلاني KT3187B9
عرض التفاصيلموردون موثوقون
جميع المنتجات يتم الحصول عليها مباشرة من المصنعين الروس المعتمدين
ضمان الجودة
المنتجات تلبي معايير الجودة الدولية مع الشهادات المناسبة
الشحن العالمي
حلول لوجستية موثوقة لتوصيل المنتجات إلى موقعك
مدفوعات آمنة
خيارات دفع آمنة متعددة لتسهيل المعاملات الدولية