متاح للاستيراد
الشركة المصنعة:
السعر:
طلب عرض سعر
أسعار الجملة متاحة
شروط FOB و CIF و EXW متاحة
النقاط الرئيسية
- صنع في روسيا - مصمم للمتانة
- مناسب للبيئات الصعبة
- تكلفة ملكية أقل من البدائل الأوروبية
- طلبات الجملة متاحة مع خصومات على الكمية
- المساعدة في التوثيق والتخليص الجمركي مقدمة
الوصف
هذا high-power transistors مصنوع في روسيا ومتاح للاستيراد إلى الأسواق العالمية. المنتجات الروسية معروفة بمتانتها وموثوقيتها ونسبة السعر إلى الأداء الممتازة.
للحصول على مواصفات المنتج التفصيلية، يرجى الاطلاع على علامة تبويب المواصفات. اتصل بفريقنا لطلب معلومات الأسعار والتوافر والشحن.
المواصفات
Emitter junction leakage current
1.0E-6 A
Transmission coefficient
0.5-0.7
Switching current
2.0E-5 A
Off current
0.001 A
Residual stress
5 V
Inter-basic resistance
6000...9000 ohm
شارك متطلباتك للحصول على رد سريع!
رد فوري خلال 15 دقيقة
أفضل أسعار الجملة مضمونة
مباشرة من الشركة المصنعة
التسليم والدفع
شروط الشحن
وقت التسليم
الشحن البحري: 30-60 يوم (حسب الوجهة)
الشحن الجوي: 14-21 يوم (للطلبات العاجلة)
طرق الدفع
منتجات مماثلة قد تهمك
High voltage bipolar high current transistors 2T8143U
عرض التفاصيل
Powerful microwave transistor on the basis of gallium nitride PP9170G
عرض التفاصيل
CMOS N-channel transistor AnB12N20
عرض التفاصيل
DMOS N-channel transistor AnD1N70
عرض التفاصيل
Power keys K3003KI014A
عرض التفاصيل
High-power NPN special-purpose amplifying transistors 2T908A-2
عرض التفاصيل
Field transistor 2P527A9
عرض التفاصيل
Silicon high voltage high power channel DMOS transistors and modules 2P829G
عرض التفاصيل
High-voltage bipolar high-current transistors 2T8143F1
عرض التفاصيل
Special purpose transistor optocouples 3OT123G OSM
عرض التفاصيل
Power IGBT module AnM150HBEB12M
عرض التفاصيل
Transistor KP7154BS
عرض التفاصيلموردون موثوقون
جميع المنتجات يتم الحصول عليها مباشرة من المصنعين الروس المعتمدين
ضمان الجودة
المنتجات تلبي معايير الجودة الدولية مع الشهادات المناسبة
الشحن العالمي
حلول لوجستية موثوقة لتوصيل المنتجات إلى موقعك
مدفوعات آمنة
خيارات دفع آمنة متعددة لتسهيل المعاملات الدولية