متاح للاستيراد
الشركة المصنعة:
السعر:
طلب عرض سعر
أسعار الجملة متاحة
شروط FOB و CIF و EXW متاحة
النقاط الرئيسية
- صنع في روسيا - مصمم للمتانة
- مناسب للبيئات الصعبة
- تكلفة ملكية أقل من البدائل الأوروبية
- طلبات الجملة متاحة مع خصومات على الكمية
- المساعدة في التوثيق والتخليص الجمركي مقدمة
الوصف
هذا high-power transistors مصنوع في روسيا ومتاح للاستيراد إلى الأسواق العالمية. المنتجات الروسية معروفة بمتانتها وموثوقيتها ونسبة السعر إلى الأداء الممتازة.
للحصول على مواصفات المنتج التفصيلية، يرجى الاطلاع على علامة تبويب المواصفات. اتصل بفريقنا لطلب معلومات الأسعار والتوافر والشحن.
المواصفات
Configuration type
half-bridge
Housing type
Press-pack
Maximum permissible current
2500 A
Maximum allowable voltage
2000 V
شارك متطلباتك للحصول على رد سريع!
رد فوري خلال 15 دقيقة
أفضل أسعار الجملة مضمونة
مباشرة من الشركة المصنعة
التسليم والدفع
شروط الشحن
وقت التسليم
الشحن البحري: 30-60 يوم (حسب الوجهة)
الشحن الجوي: 14-21 يوم (للطلبات العاجلة)
طرق الدفع
منتجات مماثلة قد تهمك
CMOS N-channel transistor AnR40N20
عرض التفاصيل
Powerful microwave transistor on the basis of gallium nitride PP9139A1
عرض التفاصيل
CMOS N-channel transistor AnB3N120
عرض التفاصيل
High-power NPN special-purpose switching transistors 2T867A OSM
عرض التفاصيل
Power IGBT module AnM600SSC12M
عرض التفاصيل
AnM200HBB12M power module
عرض التفاصيل
Power IGBT module AnM200RCB065M
عرض التفاصيل
AOT110B transistor optocoupler, (with local gold-plating of the leg)
عرض التفاصيل
Special purpose transistor optocouples 3OT123A9 OSM
عرض التفاصيل
High-power DMOS field-effect transistors 2P7246A91
عرض التفاصيل
Special purpose thyristor optocouplers 3OU186A
عرض التفاصيل
Powerful microwave transistors based on gallium nitride PP9136A
عرض التفاصيلموردون موثوقون
جميع المنتجات يتم الحصول عليها مباشرة من المصنعين الروس المعتمدين
ضمان الجودة
المنتجات تلبي معايير الجودة الدولية مع الشهادات المناسبة
الشحن العالمي
حلول لوجستية موثوقة لتوصيل المنتجات إلى موقعك
مدفوعات آمنة
خيارات دفع آمنة متعددة لتسهيل المعاملات الدولية