متاح للاستيراد
الشركة المصنعة:
السعر:
طلب عرض سعر
أسعار الجملة متاحة
شروط FOB و CIF و EXW متاحة
النقاط الرئيسية
- صنع في روسيا - مصمم للمتانة
- مناسب للبيئات الصعبة
- تكلفة ملكية أقل من البدائل الأوروبية
- طلبات الجملة متاحة مع خصومات على الكمية
- المساعدة في التوثيق والتخليص الجمركي مقدمة
الوصف
هذا high-power transistors مصنوع في روسيا ومتاح للاستيراد إلى الأسواق العالمية. المنتجات الروسية معروفة بمتانتها وموثوقيتها ونسبة السعر إلى الأداء الممتازة.
للحصول على مواصفات المنتج التفصيلية، يرجى الاطلاع على علامة تبويب المواصفات. اتصل بفريقنا لطلب معلومات الأسعار والتوافر والشحن.
المواصفات
Collector-emitter saturation voltage
2.5 V
Emitter reverse current
0.02 A
Collector-emitter reverse current
0.005 A
Static current transfer coefficient
18-80
شارك متطلباتك للحصول على رد سريع!
رد فوري خلال 15 دقيقة
أفضل أسعار الجملة مضمونة
مباشرة من الشركة المصنعة
التسليم والدفع
شروط الشحن
وقت التسليم
الشحن البحري: 30-60 يوم (حسب الوجهة)
الشحن الجوي: 14-21 يوم (للطلبات العاجلة)
طرق الدفع
منتجات مماثلة قد تهمك
Transistor 2T368A9/PK
عرض التفاصيل
Silicon p-n-p transistor KT234V9
عرض التفاصيل
Power IGBT module AnM100RCA065M
عرض التفاصيل
CMOS N-channel transistor AnU12N10L
عرض التفاصيل
High-voltage high-power n-channel DMOS transistor KP7154BS
عرض التفاصيل
Transistor Field Effect DMOS Microwave Continuous Mode Transistor P
عرض التفاصيل
Powerful microwave transistor on the basis of gallium nitride PP9139B1
عرض التفاصيل
Silicon planar N-P-N high-power high-voltage switching transistor of KT8121B2 type
عرض التفاصيل
Power IGBT module AnM600SSC12M
عرض التفاصيل
High-frequency pulse transistors of special purpose 2T606A
عرض التفاصيل
Silicon high-voltage high-power channel DMOS-transistors and modules 2P829A
عرض التفاصيل
Transistor 2T3129B9/PK
عرض التفاصيلموردون موثوقون
جميع المنتجات يتم الحصول عليها مباشرة من المصنعين الروس المعتمدين
ضمان الجودة
المنتجات تلبي معايير الجودة الدولية مع الشهادات المناسبة
الشحن العالمي
حلول لوجستية موثوقة لتوصيل المنتجات إلى موقعك
مدفوعات آمنة
خيارات دفع آمنة متعددة لتسهيل المعاملات الدولية