متاح للاستيراد
الشركة المصنعة:
السعر:
طلب عرض سعر
أسعار الجملة متاحة
شروط FOB و CIF و EXW متاحة
النقاط الرئيسية
- صنع في روسيا - مصمم للمتانة
- مناسب للبيئات الصعبة
- تكلفة ملكية أقل من البدائل الأوروبية
- طلبات الجملة متاحة مع خصومات على الكمية
- المساعدة في التوثيق والتخليص الجمركي مقدمة
الوصف
هذا high-power transistors مصنوع في روسيا ومتاح للاستيراد إلى الأسواق العالمية. المنتجات الروسية معروفة بمتانتها وموثوقيتها ونسبة السعر إلى الأداء الممتازة.
للحصول على مواصفات المنتج التفصيلية، يرجى الاطلاع على علامة تبويب المواصفات. اتصل بفريقنا لطلب معلومات الأسعار والتوافر والشحن.
المواصفات
Collector-emitter saturation voltage
2.5 V
Emitter reverse current
0.02 A
Collector-emitter reverse current
0.005 A
Static current transfer coefficient
18-80
شارك متطلباتك للحصول على رد سريع!
رد فوري خلال 15 دقيقة
أفضل أسعار الجملة مضمونة
مباشرة من الشركة المصنعة
التسليم والدفع
شروط الشحن
وقت التسليم
الشحن البحري: 30-60 يوم (حسب الوجهة)
الشحن الجوي: 14-21 يوم (للطلبات العاجلة)
طرق الدفع
منتجات مماثلة قد تهمك
Transistor 2T117B OSM
عرض التفاصيل
High-power NPN special-purpose amplifying transistors 2T968A-5
عرض التفاصيل
AnM100HBA12M power module
عرض التفاصيل
High-voltage bipolar high-current transistors 2T8143F1
عرض التفاصيل
High-power NPN special-purpose amplifying transistors 2T908A-2
عرض التفاصيل
High-power field-effect switching transistors for special purpose 2?7152?
عرض التفاصيل
Power IGBT module AnM100RCA065M
عرض التفاصيل
Special purpose thyristor optocouplers 3OU186A
عرض التفاصيل
AnDM200EA12M power module
عرض التفاصيل
Power IGBT module AnM150HBEB12M
عرض التفاصيل
AOT110B transistor optocoupler, (with local gold-plating of the leg)
عرض التفاصيل
High-voltage bipolar high-current transistors 2T8144VM1
عرض التفاصيلموردون موثوقون
جميع المنتجات يتم الحصول عليها مباشرة من المصنعين الروس المعتمدين
ضمان الجودة
المنتجات تلبي معايير الجودة الدولية مع الشهادات المناسبة
الشحن العالمي
حلول لوجستية موثوقة لتوصيل المنتجات إلى موقعك
مدفوعات آمنة
خيارات دفع آمنة متعددة لتسهيل المعاملات الدولية