
الشركة المصنعة:
السعر:
طلب عرض سعر
أسعار الجملة متاحة
شروط FOB و CIF و EXW متاحة
النقاط الرئيسية
- صنع في روسيا - مصمم للمتانة
- مناسب للبيئات الصعبة
- تكلفة ملكية أقل من البدائل الأوروبية
- طلبات الجملة متاحة مع خصومات على الكمية
- المساعدة في التوثيق والتخليص الجمركي مقدمة
الوصف
هذا high-power transistors مصنوع في روسيا ومتاح للاستيراد إلى الأسواق العالمية. المنتجات الروسية معروفة بمتانتها وموثوقيتها ونسبة السعر إلى الأداء الممتازة.
للحصول على مواصفات المنتج التفصيلية، يرجى الاطلاع على علامة تبويب المواصفات. اتصل بفريقنا لطلب معلومات الأسعار والتوافر والشحن.
المواصفات
Maximum allowable DC drain-to-source voltage
250 V
Maximum permissible DC drain current
4 A
Drain-to-source resistance in open state
0.45 ohm
شارك متطلباتك للحصول على رد سريع!
رد فوري خلال 15 دقيقة
أفضل أسعار الجملة مضمونة
مباشرة من الشركة المصنعة
التسليم والدفع
شروط الشحن
وقت التسليم
الشحن البحري: 30-60 يوم (حسب الوجهة)
الشحن الجوي: 14-21 يوم (للطلبات العاجلة)
طرق الدفع
منتجات مماثلة قد تهمك

Transistor MIK8205
عرض التفاصيل
Transistor Field Effect DMOS Microwave Continuous Mode Transistor P
عرض التفاصيل
High-power high-voltage field-effect transistor KP829J
عرض التفاصيل
AnM100HBA12M power module
عرض التفاصيل
Transistor 2T368A9/PK
عرض التفاصيل
High-power field-effect switching transistors for special purpose 2?7152?
عرض التفاصيل
Silicon high voltage high power channel DMOS transistors and modules 2P829J
عرض التفاصيل
Silicon high-voltage high-power channel DMOS transistors and modules 2P829I9
عرض التفاصيل
High-power NPN special-purpose switching transistors 2T867A OSM
عرض التفاصيل
Power keys K3003KI014
عرض التفاصيل
High-power NPN special-purpose amplifying transistors 2T908A-2
عرض التفاصيل
Powerful high-voltage field-effect transistor KP829A
عرض التفاصيلموردون موثوقون
جميع المنتجات يتم الحصول عليها مباشرة من المصنعين الروس المعتمدين
ضمان الجودة
المنتجات تلبي معايير الجودة الدولية مع الشهادات المناسبة
الشحن العالمي
حلول لوجستية موثوقة لتوصيل المنتجات إلى موقعك
مدفوعات آمنة
خيارات دفع آمنة متعددة لتسهيل المعاملات الدولية