النقاط الرئيسية

صنع في روسيا - مصمم للمتانة
مناسب للبيئات الصعبة
تكلفة ملكية أقل من البدائل الأوروبية
طلبات الجملة متاحة مع خصومات على الكمية
المساعدة في التوثيق والتخليص الجمركي مقدمة

الوصف

هذا high-power transistors مصنوع في روسيا ومتاح للاستيراد إلى الأسواق العالمية. المنتجات الروسية معروفة بمتانتها وموثوقيتها ونسبة السعر إلى الأداء الممتازة.

للحصول على مواصفات المنتج التفصيلية، يرجى الاطلاع على علامة تبويب المواصفات. اتصل بفريقنا لطلب معلومات الأسعار والتوافر والشحن.

المواصفات

Configuration type

half-bridge

Housing type

Press-pack

Maximum permissible current

2500 A

Maximum allowable voltage

2000 V

لوقت محدود

شارك متطلباتك للحصول على رد سريع!

رد فوري خلال 15 دقيقة

أفضل أسعار الجملة مضمونة

مباشرة من الشركة المصنعة

التسليم والدفع

شروط الشحن

FOB نوفوروسيسك، روسيا CIF متاح للموانئ الرئيسية في جميع أنحاء العالم EXW منشأة الشركة المصنعة، روسيا

وقت التسليم

الشحن البحري: 30-60 يوم (حسب الوجهة) الشحن الجوي: 14-21 يوم (للطلبات العاجلة)

طرق الدفع

خطاب الاعتماد (L/C) التحويل البنكي (T/T) خدمات الضمان

منتجات مماثلة قد تهمك

CMOS N-channel transistor AnB12N20

عرض التفاصيل

Silicon planar N-P-N high-power high-voltage switching transistor of KT8121B2 type

عرض التفاصيل

موردون موثوقون

جميع المنتجات يتم الحصول عليها مباشرة من المصنعين الروس المعتمدين

ضمان الجودة

المنتجات تلبي معايير الجودة الدولية مع الشهادات المناسبة

الشحن العالمي

حلول لوجستية موثوقة لتوصيل المنتجات إلى موقعك

مدفوعات آمنة

خيارات دفع آمنة متعددة لتسهيل المعاملات الدولية

Categories

Language

Quick Links

النقاط الرئيسية

الوصف

المواصفات

شارك متطلباتك للحصول على رد سريع!