متاح للاستيراد
الشركة المصنعة:
السعر:
طلب عرض سعر
أسعار الجملة متاحة
شروط FOB و CIF و EXW متاحة
النقاط الرئيسية
- صنع في روسيا - مصمم للمتانة
- مناسب للبيئات الصعبة
- تكلفة ملكية أقل من البدائل الأوروبية
- طلبات الجملة متاحة مع خصومات على الكمية
- المساعدة في التوثيق والتخليص الجمركي مقدمة
الوصف
هذا high-power transistors مصنوع في روسيا ومتاح للاستيراد إلى الأسواق العالمية. المنتجات الروسية معروفة بمتانتها وموثوقيتها ونسبة السعر إلى الأداء الممتازة.
للحصول على مواصفات المنتج التفصيلية، يرجى الاطلاع على علامة تبويب المواصفات. اتصل بفريقنا لطلب معلومات الأسعار والتوافر والشحن.
المواصفات
Insulation resistance
1000000000 ohm
Output leakage current
-100000 A
Output residual voltage
0.5 V
Input voltage
2 V
شارك متطلباتك للحصول على رد سريع!
رد فوري خلال 15 دقيقة
أفضل أسعار الجملة مضمونة
مباشرة من الشركة المصنعة
التسليم والدفع
شروط الشحن
وقت التسليم
الشحن البحري: 30-60 يوم (حسب الوجهة)
الشحن الجوي: 14-21 يوم (للطلبات العاجلة)
طرق الدفع
منتجات مماثلة قد تهمك
Transistor MIK8205
عرض التفاصيل
High-power NPN special-purpose amplifying transistors 2T908A-2
عرض التفاصيل
Transistor 2T368A9/PK
عرض التفاصيل
High-frequency special-purpose field-effect transistors 2?301B/IU
عرض التفاصيل
Powerful high-voltage field-effect transistor KP829A9
عرض التفاصيل
Special purpose high frequency pulse transistors 2T603B/IU
عرض التفاصيل
Special purpose thyristor optocouples 3OU186B
عرض التفاصيل
Powerful microwave transistor on the basis of gallium nitride PP9138A
عرض التفاصيل
CMOS N-channel transistor AnR40N20
عرض التفاصيل
AnM200HBB12M power module
عرض التفاصيل
AnDM200EA12M power module
عرض التفاصيل
Special purpose transistor optocouples 3OT123A9 OSM
عرض التفاصيلموردون موثوقون
جميع المنتجات يتم الحصول عليها مباشرة من المصنعين الروس المعتمدين
ضمان الجودة
المنتجات تلبي معايير الجودة الدولية مع الشهادات المناسبة
الشحن العالمي
حلول لوجستية موثوقة لتوصيل المنتجات إلى موقعك
مدفوعات آمنة
خيارات دفع آمنة متعددة لتسهيل المعاملات الدولية