
الشركة المصنعة:
السعر:
طلب عرض سعر
أسعار الجملة متاحة
شروط FOB و CIF و EXW متاحة
النقاط الرئيسية
- صنع في روسيا - مصمم للمتانة
- مناسب للبيئات الصعبة
- تكلفة ملكية أقل من البدائل الأوروبية
- طلبات الجملة متاحة مع خصومات على الكمية
- المساعدة في التوثيق والتخليص الجمركي مقدمة
الوصف
هذا high-power transistors مصنوع في روسيا ومتاح للاستيراد إلى الأسواق العالمية. المنتجات الروسية معروفة بمتانتها وموثوقيتها ونسبة السعر إلى الأداء الممتازة.
للحصول على مواصفات المنتج التفصيلية، يرجى الاطلاع على علامة تبويب المواصفات. اتصل بفريقنا لطلب معلومات الأسعار والتوافر والشحن.
المواصفات
Configuration type
half-bridge
Housing type
MPC-20
Maximum permissible current
100 A
Maximum allowable voltage
1700 V
شارك متطلباتك للحصول على رد سريع!
رد فوري خلال 15 دقيقة
أفضل أسعار الجملة مضمونة
مباشرة من الشركة المصنعة
التسليم والدفع
شروط الشحن
وقت التسليم
الشحن البحري: 30-60 يوم (حسب الوجهة)
الشحن الجوي: 14-21 يوم (للطلبات العاجلة)
طرق الدفع
منتجات مماثلة قد تهمك

Powerful microwave transistor on the basis of gallium nitride PP9170E
عرض التفاصيل
Powerful microwave transistor on the basis of gallium nitride PP9170A
عرض التفاصيل
Powerful microwave transistor based on gallium nitride PP9138B
عرض التفاصيل
High-power DMOS field-effect transistors 2P7246A91
عرض التفاصيل
Transistor KT6131A
عرض التفاصيل
Silicon planar N-P-N high-power high-voltage switching transistor of KT8144A type
عرض التفاصيل
Special purpose thyristor optocouples 3OU186B
عرض التفاصيل
High-power NPN special-purpose switching transistors 2T867A OSM
عرض التفاصيل
Special purpose transistor optocouplers 3OT127A
عرض التفاصيل
DMOS N-channel transistor AnD1N70
عرض التفاصيل
Transistor LDMOS Field Effect Microwave Transistor (pulse mode) L
عرض التفاصيل
Transistor 2T368A/PK
عرض التفاصيلموردون موثوقون
جميع المنتجات يتم الحصول عليها مباشرة من المصنعين الروس المعتمدين
ضمان الجودة
المنتجات تلبي معايير الجودة الدولية مع الشهادات المناسبة
الشحن العالمي
حلول لوجستية موثوقة لتوصيل المنتجات إلى موقعك
مدفوعات آمنة
خيارات دفع آمنة متعددة لتسهيل المعاملات الدولية