1

Описание запроса

2

Контактные данные

Что вам нужно?

Опишите товар или услугу, которую вы ищете

Описание товара *

Количество *

Единица

Ваши контактные данные

Мы свяжемся с вами в ближайшее время

Полное имя *

Email *

Телефон *

✓

Запрос отправлен!

Спасибо! Мы свяжемся с вами в ближайшее время с лучшими предложениями.

Транзистор Полевый LDMOS СВЧ транзистор импульсного режима работы L

Транзистор Полевый LDMOS СВЧ транзистор импульсного режима работы L — АО "НИИЭТ"

Бренд: NIIET

$3 - $18 USD

MOQ: 500 pieces

Ключевые характеристики

Наименование: Полевый LDMOS СВЧ транзистор импульсного режима работы L - диапазона частот мм

Обозначение: 2П9116Б

Информация о поставщике

АО "НИИЭТ"

🇷🇺 📦 🏭 🛡️

Все товары поставщика (25)

Быстрый запрос

Ещё товары бренда NIIET

Мощный СВЧ-транзистор на основе нитрида галлия ПП9137А

$60-$300

Мощный СВЧ-транзистор на основе нитрида галлия ПП9170Д

$30-$180

Микросхема 32-разрядный микроконтроллер на базе ядра ARM Cortex-M4F К1921ВК01Т

$3-$18

Мощные СВЧ-транзисторы на основе нитрида галлия ПП9136А

$60-$300

Мощный СВЧ-транзистор на основе нитрида галлия ПП9138А

$9-$60

Мощный СВЧ-транзистор на основе нитрида галлия ПП9139Б1

$90-$360

Мощный СВЧ-транзистор на основе нитрида галлия ПП9170Б

$9-$36

32-разрядный микроконтроллер К1921ВГ015

$1.20-$6

Мощный линейный LDMOS транзистор КП9171БС

$1.20-$6

Мощный линейный LDMOS транзистор КП9171А

$3-$18

4-канальный передатчик К5537ЕУ015

$0.60-$6

Описание

Транзистор Полевый LDMOS СВЧ транзистор импульсного режима работы L - диапазона частот 2П9116Б 1030-1090МГц АО "НИИЭТ" Россия

Похожие товары

Powerful Linear LDMOS Transistor KP9171BS

Мощный линейный LDMOS транзистор КП9171БС

$1.20-$6 USD

Output power: 180

Power gain: 18.6

АО "НИИЭТ" 🇷🇺

Powerful Linear LDMOS Transistor KP9171A

Мощный линейный LDMOS транзистор КП9171А

$3-$18 USD

Output power in envelope peak: 140

Effluent efficiency: 45

АО "НИИЭТ" 🇷🇺

Linear Mode LDMOS RF Transistor for Embedded Systems

полевой LDMOS СВЧ транзистор, линейного режима

$900-$3,600 USD

Output power: 150

Operating frequency range: 860

АО "НИИЭТ" 🇷🇺

High-Power High-Voltage Field Transistor KP829D

Мощный высоковольтный полевой транзистор КП829Д

$0.90-$3.60 USD

Type: powerful high-voltage

Type: powerful high-voltage

АО "НПП "ЗАВОД ИСКРА" 🇷🇺

Special Purpose Transistor Optocoupler 3OT127A

Оптопары транзисторные специального назначения 3ОТ127А

$0.30-$1.80 USD

Input voltage: 1.6

Output residual voltage: 1.5

АО "НПП "ЗАВОД ИСКРА" 🇷🇺

Powerful GaN Microwave Transistor for Amplification PP9137A

Мощный СВЧ-транзистор на основе нитрида галлия ПП9137А

$60-$300 USD

Output power: 10

Maximum voltage: 130

АО "НИИЭТ" 🇷🇺

Powerful Silicon Epitaxial-Planar n-p-n Switching Transistor KT879A

Транзистор КТ879А

$0.30-$1.80 USD

Boundary voltage: 150

Resorption time: 1.5

АО "НПП "ЗАВОД ИСКРА" 🇷🇺

Powerful NPN Switching Transistors for Special Applications 2T856G

Мощные NPN переключательные транзисторы специального назначения 2Т856Г

$0.90-$3.60 USD

Boundary voltage: 450

Collector-emitter saturation voltage: 1.5

АО "НПП "ЗАВОД ИСКРА" 🇷🇺

Transistor Optocoupler 3OT144A

Оптопара транзисторная 3ОТ144А

$0.12-$0.60 USD

Insulation voltage: 500

Input current: 0.01

АО "ОПТРОН" 🇷🇺

High Voltage Silicon Power N-Channel DMOS Transistors and Modules 2P829A

Кремниевые высоковольтные мощные канальные ДМОП-транзисторы и модули 2П829А

$6-$60 USD

Initial drain current: 0.001

Drain-to-source resistance in open state: 0.5

АО "НПП "ЗАВОД ИСКРА" 🇷🇺

N-Channel MOSFET Transistor - Angstrom Model

Транзистор MOSFET (N-канальный)

$0.06-$1.20 USD

Voltage: 30...1500

Current strength: 1...100

АО "АНГСТРЕМ" 🇷🇺

Powerful NPN Amplifying Transistors Special Purpose 2T908A-2

Мощные NPN усилительные транзисторы специального назначения 2Т908А-2

$0.90-$3.60 USD

Static current transfer coefficient: 8-60

Static current transfer coefficient: 8-60

АО "НПП "ЗАВОД ИСКРА" 🇷🇺

Silicon Epitaxial-Planar N-P-N Transistor 2T368A/PK

Транзистор 2Т368А/ПК

$0.30-$2.40 USD

Boundary voltage: 15

Static current transfer coefficient: 50...300

АО "АРСЕНАЛ" КРЗПП" 🇷🇺

Powerful GaN Microwave Transistor for Amplifier Applications PP9170E

Мощный СВЧ-транзистор на основе нитрида галлия ПП9170Е

$9-$36 USD

Frequency: 6

Maximum voltage: 150

АО "НИИЭТ" 🇷🇺

Field-effect P-Channel Transistor 2P527A9

Полевой транзистор 2П527А9

$0.06-$0.60 USD

Maximum power dissipation: 0.625

Threshold voltage: -3.5

АО "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ" 🇷🇺

P-N-P Silicon Transistor KT234V9

Кремниевый p-n-p транзистор КТ234В9

$0.03-$0.24 USD

Boundary voltage: Not less than 45 V

Maximum permissible DC collector-to-base voltage: Not more than 50 V

АО "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ" 🇷🇺

High-Frequency GaN Transistor up to 6 GHz, SVC0101

GaN СВЧ транзистор частотного диапазона до 6 ГГц, SVC0101

$6-$60 USD

Output power at 3 GHz: 18

Maximum operating frequency: 6

АО "СВЕТЛАНА-РОСТ" 🇷🇺

GaN Microwave Transistor up to 6 GHz, SVC0102

GaN СВЧ транзистор частотного диапазона до 6 ГГц , SVC0102

$30-$180 USD

Frequency range: 0...6

Overall dimensions: 1710 x 950 x 100 microns

АО "СВЕТЛАНА-РОСТ" 🇷🇺

Powerful Silicon High Voltage N-Channel DMOS Transistors and Modules 2P829G

Кремниевые высоковольтные мощные канальные ДМОП-транзисторы и модули 2П829Г

$0.90-$3.60 USD

Initial drain current: 0.0005

Drain-to-source resistance in open state: 0.05

АО "НПП "ЗАВОД ИСКРА" 🇷🇺

High Voltage Silicon Power N-Channel DMOS Transistors and Modules 2P829I9

Кремниевые высоковольтные мощные канальные ДМОП-транзисторы и модули 2П829И9

$0.60-$6 USD

Initial drain current: 0.0005

Drain-to-source resistance in open state: 0.05

АО "НПП "ЗАВОД ИСКРА" 🇷🇺