Установка предназначена для реализации следующих задач:анизотропное плазменное травление оксида кремния через фоторезистивную маску;плазменное (анизотропное) вертикальное травление отверстий в кремнии с гладкими стенками через оксидную маску на глубину (50 – 150) мкм без использования Bosch-технологии;бездефектное удаление фоторезиста с поверхности пластин в кислородной плазме. Комплексы выпускаются следующих видов:анизотропного плазменного травления оксида кремния через фоторезистивную маску;плазменного (анизотропного) вертикального травления отверстий в кремнии с гладкими стенками через оксидную маску на глубину (50 – 150) мкм без использования Bosch-технологии;бездефектного удаления фоторезиста с поверхности пластин в кислородной плазме.
Напишите что вам нужно и получите предложения от проверенных поставщиков