Powerful GaN Microwave Transistor for Amplification PP9137A

Мощный СВЧ-транзистор на основе нитрида галлия ПП9137А

US$60-300
Output power: 10
Maximum voltage: 130
АО "НИИЭТ" 🇷🇺
Powerful GaN Microwave Transistor for Amplifier Applications PP9170E

Мощный СВЧ-транзистор на основе нитрида галлия ПП9170Е

US$9-36
Frequency: 6
Maximum voltage: 150
АО "НИИЭТ" 🇷🇺
High-Frequency GaN Transistor up to 6 GHz, SVC0101

GaN СВЧ транзистор частотного диапазона до 6 ГГц, SVC0101

US$6-60
Output power at 3 GHz: 18
Maximum operating frequency: 6
АО "СВЕТЛАНА-РОСТ" 🇷🇺
GaN Microwave Transistor up to 6 GHz, SVC0102

GaN СВЧ транзистор частотного диапазона до 6 ГГц , SVC0102

US$30-180
Frequency range: 0...6
Overall dimensions: 1710 x 950 x 100 microns
АО "СВЕТЛАНА-РОСТ" 🇷🇺
High-Power GaN Microwave Transistors PП9136A

Мощные СВЧ-транзисторы на основе нитрида галлия ПП9136А

US$60-300
Output power: 5
Frequency range up to: 6000
АО "НИИЭТ" 🇷🇺
High-Power GaN Microwave Transistor PP9138B

Мощный СВЧ-транзистор на основе нитрида галлия ПП9138Б

US$30-180
Output power: 25
Maximum voltage: 130
АО "НИИЭТ" 🇷🇺
Powerful GaN-based Microwave Transistor PP9170G

Мощный СВЧ-транзистор на основе нитрида галлия ПП9170Г

US$9-36
Frequency: 4
Maximum voltage: 150
АО "НИИЭТ" 🇷🇺
Powerful GaN-based Microwave Transistor PP9170A

Мощный СВЧ-транзистор на основе нитрида галлия ПП9170А

US$9-36
Output power: 200
Maximum voltage: 150
АО "НИИЭТ" 🇷🇺
Powerful GaN-based Microwave Transistor PP9139B1

Мощный СВЧ-транзистор на основе нитрида галлия ПП9139Б1

US$90-360
Output power: 100
Maximum voltage: 130
АО "НИИЭТ" 🇷🇺
Powerful GaN-Based Microwave Transistor PP9170B

Мощный СВЧ-транзистор на основе нитрида галлия ПП9170Б

US$9-36
Output power: 100
Frequency: 3.1
АО "НИИЭТ" 🇷🇺
High-Power GaN Microwave Transistor for Amplifier Applications PP9139A1

Мощный СВЧ-транзистор на основе нитрида галлия ПП9139А1

US$9-36
Maximum voltage: 130
Transistor weight: 5
АО "НИИЭТ" 🇷🇺