
الشركة المصنعة:
السعر:
طلب عرض سعر
أسعار الجملة متاحة
شروط FOB و CIF و EXW متاحة
النقاط الرئيسية
- صنع في روسيا - مصمم للمتانة
- مناسب للبيئات الصعبة
- تكلفة ملكية أقل من البدائل الأوروبية
- طلبات الجملة متاحة مع خصومات على الكمية
- المساعدة في التوثيق والتخليص الجمركي مقدمة
النماذج المتاحة
الوصف
هذا high-power transistors مصنوع في روسيا ومتاح للاستيراد إلى الأسواق العالمية. المنتجات الروسية معروفة بمتانتها وموثوقيتها ونسبة السعر إلى الأداء الممتازة.
للحصول على مواصفات المنتج التفصيلية، يرجى الاطلاع على علامة تبويب المواصفات. اتصل بفريقنا لطلب معلومات الأسعار والتوافر والشحن.
المواصفات
Boundary voltage
15 V
Static current transfer coefficient
50...300
Collector junction capacitance
17
Current transfer coefficient modulus at high frequency
9
Noise figure
3
شارك متطلباتك للحصول على رد سريع!
رد فوري خلال 15 دقيقة
أفضل أسعار الجملة مضمونة
مباشرة من الشركة المصنعة
التسليم والدفع
شروط الشحن
وقت التسليم
الشحن البحري: 30-60 يوم (حسب الوجهة)
الشحن الجوي: 14-21 يوم (للطلبات العاجلة)
طرق الدفع
منتجات مماثلة قد تهمك

Silicon high-voltage high-power channel DMOS-transistors and modules 2P829A
عرض التفاصيل
Powerful microwave transistor on the basis of gallium nitride PP9139A1
عرض التفاصيل
Silicon epitaxial-planar N-P-N high-power high-voltage switching transistor of KT8143F type
عرض التفاصيل
Power IGBT module AnM100RCA065M
عرض التفاصيل
Special purpose transistor optocouplers 3OT127A
عرض التفاصيل
Powerful NPN special purpose amplifying transistors 2T808A-2
عرض التفاصيل
Power keys K3003KI014
عرض التفاصيل
Silicon high voltage high power channel DMOS transistors and modules 2P829J
عرض التفاصيل
Transistor KT879A
عرض التفاصيل
Transistor KT6131A
عرض التفاصيل
AnM450HBE12M Power IGBT Module
عرض التفاصيل
DMOS N-channel transistor AnD1N70
عرض التفاصيلموردون موثوقون
جميع المنتجات يتم الحصول عليها مباشرة من المصنعين الروس المعتمدين
ضمان الجودة
المنتجات تلبي معايير الجودة الدولية مع الشهادات المناسبة
الشحن العالمي
حلول لوجستية موثوقة لتوصيل المنتجات إلى موقعك
مدفوعات آمنة
خيارات دفع آمنة متعددة لتسهيل المعاملات الدولية