
الشركة المصنعة:
السعر:
طلب عرض سعر
أسعار الجملة متاحة
شروط FOB و CIF و EXW متاحة
النقاط الرئيسية
- صنع في روسيا - مصمم للمتانة
- مناسب للبيئات الصعبة
- تكلفة ملكية أقل من البدائل الأوروبية
- طلبات الجملة متاحة مع خصومات على الكمية
- المساعدة في التوثيق والتخليص الجمركي مقدمة
الوصف
هذا high-power transistors مصنوع في روسيا ومتاح للاستيراد إلى الأسواق العالمية. المنتجات الروسية معروفة بمتانتها وموثوقيتها ونسبة السعر إلى الأداء الممتازة.
للحصول على مواصفات المنتج التفصيلية، يرجى الاطلاع على علامة تبويب المواصفات. اتصل بفريقنا لطلب معلومات الأسعار والتوافر والشحن.
المواصفات
Initial drain current
0.0015 A
Gate leakage current
1.0E-7 A
Drain-to-source resistance in open state
1 ohm
Threshold voltage
2...4 V
Switch-on delay time
70
Rise time
40
Shutdown delay time
190
Decline time
45
شارك متطلباتك للحصول على رد سريع!
رد فوري خلال 15 دقيقة
أفضل أسعار الجملة مضمونة
مباشرة من الشركة المصنعة
التسليم والدفع
شروط الشحن
وقت التسليم
الشحن البحري: 30-60 يوم (حسب الوجهة)
الشحن الجوي: 14-21 يوم (للطلبات العاجلة)
طرق الدفع
منتجات مماثلة قد تهمك

CMOS N-channel transistor AnB12N20
عرض التفاصيل
Transistor 2T3129B9/PK
عرض التفاصيل
CMOS P-channel transistor AnP53P03
عرض التفاصيل
Transistor 2T3108A/PK
عرض التفاصيل
Powerful microwave transistor on the basis of gallium nitride PP9170A
عرض التفاصيل
High-frequency pulse transistors of special purpose 2T606A
عرض التفاصيل
Transistor Field Effect DMOS Microwave Continuous Mode Transistor P
عرض التفاصيل
Special purpose thyristor optocouples 3OU186B
عرض التفاصيل
Powerful microwave transistor on the basis of gallium nitride PP9137A
عرض التفاصيل
High-power high-voltage switching silicon n-p-n transistor of KT8155G type
عرض التفاصيل
Transistor 2T368A/PK
عرض التفاصيل
High-power DMOS field-effect transistors 2P7242A-4
عرض التفاصيلموردون موثوقون
جميع المنتجات يتم الحصول عليها مباشرة من المصنعين الروس المعتمدين
ضمان الجودة
المنتجات تلبي معايير الجودة الدولية مع الشهادات المناسبة
الشحن العالمي
حلول لوجستية موثوقة لتوصيل المنتجات إلى موقعك
مدفوعات آمنة
خيارات دفع آمنة متعددة لتسهيل المعاملات الدولية