متاح للاستيراد
الشركة المصنعة:
ش.م مصنع إسكرا
السعر:
طلب عرض سعر
أسعار الجملة متاحة
شروط FOB و CIF و EXW متاحة
الوصف
هذا high-power transistors مصنوع في روسيا ومتاح للاستيراد إلى الأسواق العالمية. المنتجات الروسية معروفة بمتانتها وموثوقيتها ونسبة السعر إلى الأداء الممتازة.
للحصول على مواصفات المنتج التفصيلية، يرجى الاطلاع على علامة تبويب المواصفات. اتصل بفريقنا لطلب معلومات الأسعار والتوافر والشحن.
المواصفات
Collector reverse current
0.003 A
Emitter reverse current
0.01 A
Boundary voltage
150 V
Collector-emitter saturation voltage
1.2 V
Base-emitter saturation voltage
1.8 V
Secondary breakdown energy
0.1
شارك متطلباتك للحصول على رد سريع!
رد فوري خلال 15 دقيقة
أفضل أسعار الجملة مضمونة
مباشرة من الشركة المصنعة
التسليم والدفع
شروط الشحن
وقت التسليم
الشحن البحري: 30-60 يوم (حسب الوجهة)
الشحن الجوي: 14-21 يوم (للطلبات العاجلة)
طرق الدفع
منتجات مماثلة قد تهمك
وحدة الطاقة AnDM400SC12M
عرض التفاصيل
الترانزستورات والموديلات القوية من نوع DMOS عالية الجهد 2P829A
عرض التفاصيل
وحدة IGBT القوية AnM450HBE065M
عرض التفاصيل
ترانزستور ميكروويف قوي من نيتريد الغاليوم PP9138A
عرض التفاصيل
ترانزستور ميكروويف قوي من نيتريد الغاليوم PP9139A1
عرض التفاصيل
وحدة IGBT عالية القدرة AnM150HBEВ12M
عرض التفاصيل
ترانزستورات وقنوات سيليكون ذات جهد عالي 2P829G
عرض التفاصيل
ترانزستور منخفض الضوضاء AП379A9
عرض التفاصيل
ترانزستور ميكروويف قوي يعتمد على نيتريد الغاليوم PP9139B1
عرض التفاصيل
ترانزستورات وموديلات دMOOS القوية من السيليكون ذات الجهد العالي 2P829B
عرض التفاصيل
ترانزستور NPN قوي 2T808A للاستخدامات الخاصة
عرض التفاصيل
ترانزستور سيليكون NPN عالي الجهد KT8155G
عرض التفاصيلموردون موثوقون
جميع المنتجات يتم الحصول عليها مباشرة من المصنعين الروس المعتمدين
ضمان الجودة
المنتجات تلبي معايير الجودة الدولية مع الشهادات المناسبة
الشحن العالمي
حلول لوجستية موثوقة لتوصيل المنتجات إلى موقعك
مدفوعات آمنة
خيارات دفع آمنة متعددة لتسهيل المعاملات الدولية