متاح للاستيراد
الشركة المصنعة:
السعر:
طلب عرض سعر
أسعار الجملة متاحة
شروط FOB و CIF و EXW متاحة
النقاط الرئيسية
- صنع في روسيا - مصمم للمتانة
- مناسب للبيئات الصعبة
- تكلفة ملكية أقل من البدائل الأوروبية
- طلبات الجملة متاحة مع خصومات على الكمية
- المساعدة في التوثيق والتخليص الجمركي مقدمة
الوصف
هذا high-power transistors مصنوع في روسيا ومتاح للاستيراد إلى الأسواق العالمية. المنتجات الروسية معروفة بمتانتها وموثوقيتها ونسبة السعر إلى الأداء الممتازة.
للحصول على مواصفات المنتج التفصيلية، يرجى الاطلاع على علامة تبويب المواصفات. اتصل بفريقنا لطلب معلومات الأسعار والتوافر والشحن.
المواصفات
Maximum allowable DC drain-to-source voltage
400 V
Maximum permissible DC drain current
5.5 A
Drain-to-source resistance in open state
5.5 ohm
شارك متطلباتك للحصول على رد سريع!
رد فوري خلال 15 دقيقة
أفضل أسعار الجملة مضمونة
مباشرة من الشركة المصنعة
التسليم والدفع
شروط الشحن
وقت التسليم
الشحن البحري: 30-60 يوم (حسب الوجهة)
الشحن الجوي: 14-21 يوم (للطلبات العاجلة)
طرق الدفع
منتجات مماثلة قد تهمك
High voltage bipolar high current transistors 2T8143U
عرض التفاصيل
Powerful microwave transistor on the basis of gallium nitride PP9139A1
عرض التفاصيل
AnDM200EA12M power module
عرض التفاصيل
Power IGBT module AnM200RCB065M
عرض التفاصيل
Transistor 2T368A9/PK
عرض التفاصيل
High-voltage high-power n-channel DMOS transistor KP7154BS
عرض التفاصيل
High-power DMOS field-effect transistors 2P7246A-5
عرض التفاصيل
AnM200HBB12M power module
عرض التفاصيل
Silicon planar N-P-N high-power high-voltage switching transistor of KT8144A type
عرض التفاصيل
Powerful high-voltage field-effect transistor KP829A9
عرض التفاصيل
Power IGBT module AnM150HBEB12M
عرض التفاصيل
Silicon high voltage high power channel DMOS transistors and modules 2P829B9
عرض التفاصيلموردون موثوقون
جميع المنتجات يتم الحصول عليها مباشرة من المصنعين الروس المعتمدين
ضمان الجودة
المنتجات تلبي معايير الجودة الدولية مع الشهادات المناسبة
الشحن العالمي
حلول لوجستية موثوقة لتوصيل المنتجات إلى موقعك
مدفوعات آمنة
خيارات دفع آمنة متعددة لتسهيل المعاملات الدولية